[發(fā)明專利]一種紅外熱傳感芯片

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811441685.8
• 申請(qǐng)日: 2018-11-30
• 公開（公告）號(hào): CN109596220A
• 公開（公告）日: 2019-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京科易達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)服務(wù)有限公司
• 主分類號(hào): G01J5/00
• 分類號(hào): G01J5/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種紅外熱傳感芯片，其特征在于結(jié)合了光學(xué)環(huán)形諧振腔與MEMS加工工藝，并基于熱敏傳感結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)了一種陣列式紅外成像芯片。其紅外傳感芯片主要結(jié)構(gòu)包括：探測(cè)波導(dǎo)、環(huán)形諧振腔波導(dǎo)和熱敏微懸梁臂。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外傳感芯片，其中MEMS結(jié)構(gòu)為微懸梁臂結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外傳感芯片，其中微懸臂梁吸收紅外輻射后會(huì)發(fā)生熱致彎曲變形。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外傳感芯片，其中環(huán)形諧振腔是由納米結(jié)構(gòu)構(gòu)成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外傳感芯片，其中微懸梁臂結(jié)構(gòu)器件是由SiNx構(gòu)成。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的環(huán)形諧振腔，其中下面是玻璃基底。

7.根據(jù)權(quán)利要求7所述的玻璃基底，其中玻璃基底與微懸梁臂之間有一個(gè)空氣間隙。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的探測(cè)波導(dǎo)，其中探測(cè)光在探測(cè)波導(dǎo)中傳播，并通過倏逝波耦合進(jìn)入光學(xué)諧振腔。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外傳感芯片，其中進(jìn)入環(huán)形諧振腔的激發(fā)光可以使熱敏微懸梁臂共振。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列式紅外成像芯片，其中陣列式紅外成像芯片是由多個(gè)單個(gè)像素單元組成。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的單個(gè)像素單元包括：光偶入層、MEMs器件層、濾波層和探測(cè)層。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的MEMs器件層，其中MEMs器件層包含探測(cè)波導(dǎo)、環(huán)形諧振腔波導(dǎo)和MEMs結(jié)構(gòu)。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列式紅外成像芯片的單個(gè)像素單元，其中像素單元固定位置上存在微納結(jié)構(gòu)。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列式紅外成像芯片，其中MEMs器件層存在多個(gè)MEMs結(jié)構(gòu)緊密排列。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列式紅外成像芯片，其中探測(cè)波導(dǎo)上的微納結(jié)構(gòu)與光偶入層結(jié)構(gòu)位置匹配。

16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列式紅外成像芯片，其中探測(cè)波導(dǎo)上偶出區(qū)域的微納結(jié)構(gòu)與CCD像素單元位置匹配。