[發明專利]低含水率隔離膜及其制造方法

有效

• 申請號: 201811440018.8
• 申請日: 2018-11-29
• 公開（公告）號: CN109671894B
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: 呂美霞;葉威廷;陳威宏;楊仲霖
• 申請（專利權）人: 明基材料（蕪湖）有限公司;明基材料股份有限公司
• 主分類號: H01M50/446
• 分類號: H01M50/446;H01M50/403
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種低含水率隔離膜，其特征在于，其包含：

基材，其具有多孔結構；以及

耐熱層，其設置于該基材的至少一個側面上且該耐熱層包含黏合劑及無機微粒；

其中，該隔離膜經鈍化處理后的含水率低于1800ppm，且在露點低至-30℃下時不會產生翹曲；其中，該鈍化處理是以金屬鹵化物水溶液涂覆該耐熱層，該金屬鹵化物包含堿金屬鹵化物、堿土金屬鹵化物或銅鹵化物。

2.根據權利要求1所述的低含水率隔離膜，其特征在于，該金屬鹵化物為選自溴化鈉、碘化鉀、氯化鎂、氯化鍶、氯化鈣、溴化鍶以及氯化銅的至少之一或其任意組合。

3.根據權利要求1所述的低含水率隔離膜，其特征在于，該基材為含聚烯烴、聚酯或聚酰胺的單層多孔結構基材；或者

該基材為含聚烯烴、聚酯或聚酰胺的多層多孔結構基材。

4.根據權利要求1所述的低含水率隔離膜，其特征在于，該耐熱層的厚度介于1微米至5微米間。

5.根據權利要求1所述的低含水率隔離膜，其特征在于，該耐熱層的該無機微粒為選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鈦、氧化鋯、氧化鎂、氧化鈰、氧化釔、氧化銻、氧化錫、氮化硅、氮化鈦、氮化硼、碳化硅、碳酸鈣、硅酸鈣、硅酸鎂、硫酸鋁、硫酸鋇、勃母石、高嶺土、云母以及氫氧化鎂的至少之一或其任意組合。

6.根據權利要求1所述的低含水率隔離膜，其特征在于，該耐熱層的黏合劑為選自聚甲基丙烯酸酯、聚丁基丙烯酸酯、聚丙烯腈、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙酸乙烯酯、共聚乙烯醋酸乙烯、聚乙烯氧化物、聚芳酯、聚丙烯酸酯、聚乙烯醇、丁苯橡膠、羧甲基纖維素以及聚丙烯酸的至少之一或其任意組合。

7.一種制造低含水率隔離膜的制造方法，其特征在于，其包含：

提供具耐熱層的隔離膜，該耐熱層位于多孔基材的一個側面或兩個側面且該耐熱層含有無機微粒及黏合劑；

對該具耐熱層的隔離膜進行鈍化處理；及

以去離子水清洗鈍化處理過的隔離膜；

其中，該鈍化處理是以金屬鹵化物水溶液涂覆該耐熱層，該金屬鹵化物包含堿金屬鹵化物、堿土金屬鹵化物或銅鹵化物。

8.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于，該金屬鹵化物為選自溴化鈉、碘化鉀、氯化鎂、氯化鍶、氯化鈣、溴化鍶以及氯化銅的至少之一或其任意組合。