[發明專利]一種基于激光加工的二極管器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201811439346.6
• 申請日: 2018-11-29
• 公開（公告）號: CN109585568A
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發明（設計）人: 鄧月忠;溫國豪;褚宏深;宋旭官;黃正信
• 申請（專利權）人: 麗智電子(昆山)有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L23/31;H01L21/329;H01L21/56
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林;俞翠華

本發明公開了一種基于激光加工的二極管器件及其制造方法，第一基板塊、第二基板塊、芯片和保護層，所述第二基板塊與第二基板塊位于同一水平面，且與第一基板塊間隔設置；所述芯片設于所述第一基板塊上，其底表面與所述第一基板塊的頂表面貼合；所述導線的一端與所述芯片的頂表面相連，另一端與所述第二基板塊的頂表面相連；所述保護層將芯片和導線全部包覆在內，且部分包覆所述第一基板塊和第二基板塊。本發明能夠實現減小產品誤差，且不會有廢水產生，以及可百分之百阻隔模壓膠滲入背電極，甚至在切割刀片上的損耗也能獲得改善。

技術領域

本發明屬于電子元器件制造技術領域，具體涉及一種基于激光加工的二極管器件及其制造方法。

背景技術

現有傳統的二極管制作工藝中，所需的基板通常是采用濕式蝕刻的方式，即采用腐蝕性液體對其基板進行線路圖形的制作。濕式蝕刻制程需在基板正背面經過曝光顯影的前處理，該制程雖然屬于成熟技術，但設備的精準度嚴重影響蝕刻面的公差，進而導致產品外觀及電性不良。

傳統的濕式蝕刻制程，會有大量的蝕刻廢水需要處理，對于環保意識崛起的地區，廢水的處理將是筆額外且巨大的開銷。

傳統的二極管封裝制程，其基板底部是利用高溫膠帶阻擋模壓膠滲入背電極，這種設計很難百分之百保證完全阻擋，很可能會造成部分不良品產生，甚至影響產品焊錫性，另外，傳統的二極管封裝制程，其基板選用金屬框架，而在切割作業上對刀片的損耗較為劇烈。

發明內容

針對上述問題，本發明提出一種基于激光加工的二極管器件及其制造方法，能夠實現減小產品誤差，且不會有廢水產生，以及可百分之百阻隔模壓膠滲入背電極，甚至在切割刀片上的損耗也能獲得改善。

實現上述技術目的，達到上述技術效果，本發明通過以下技術方案實現：

第一方面，本發明提供了一種基于激光加工的二極管器件，包括：

第一基板塊，

第二基板塊，所述第二基板塊與第二基板塊位于同一水平面，且與第一基板塊間隔設置；

芯片，所述芯片設于所述第一基板塊上，其底表面與所述第一基板塊的頂表面貼合；

導線，所述導線的一端與所述芯片的頂表面相連，另一端與所述第二基板塊的頂表面相連；

保護層，所述保護層將芯片和導線全部包覆在內，且部分包覆所述第一基板塊和第二基板塊；

第一基板塊和第二基板塊上外露在保護層之外的部分作為背電極。

優選地，所述保護層包覆了第一基板塊和第二基板塊厚度的一半。

優選地，所述導線的材質為金、銅、鋁、銀中任一種。

優選地，所述保護層由環氧樹脂制成。

優選地，所述第一基板塊和第二基板塊來自于同一塊基板，由銅材料制成。

第二方面，本發明提供了一種基于激光加工的二極管器件的制造方法，包括：

(1)在基板的正面進行蝕刻，形成若干個蝕刻區；

(2)在基板上位于所述蝕刻區的一側點膠，然后將芯片放置于該點膠處；

(3)將導線的一端與所述芯片的頂表面相連，另一端與基板上位于蝕刻區上與所述芯片相對的一側的頂表面相連；

(4)在所述基板的正面、芯片和導線上制作保護層；

(5)在基板背面對所述蝕刻區進行加工形成背電極，得到半成品；

(6)對所述半成品進行切割，完成二極管器件的制造。

優選地，所述蝕刻區的蝕刻深度為基板厚度的一半。