[發(fā)明專利]一種InAlSb紅外探測器表面鈍化方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811438567.1 | 申請日： | 2018-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN109585601B | 公開（公告）日： | 2021-04-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李墨;呂衍秋;朱旭波;張利學(xué);王郁波 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國空空導(dǎo)彈研究院 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/0216;C30B33/10 |
| 代理公司： | 中國航空專利中心 11008 | 代理人： | 杜永保 |
| 地址： | 471009 *** | 國省代碼： | 河南;41 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 inalsb 紅外探測器 表面 鈍化 方法 | ||
1.一種InAlSb紅外探測器表面鈍化方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟一：將InAlSb探測器芯片放入有機(jī)溶劑中浸泡；
步驟二：將InAlSb探測器芯片放入酸性溶液中浸泡；
步驟三：將InAlSb探測器芯片放入陽極化溶液中，設(shè)定陽極化電流并接通陽極化電源的正負(fù)極，當(dāng)芯片表面的阻值達(dá)到設(shè)定值時，切斷陽極化電源；
所述陽極化溶液為硫化鈉和水的配方溶液；
所述硫化鈉和水的配方溶液是指硫化鈉K，1K100g，溶于1000ml水中；
所述陽極化電流的計算方法是：極化電流I＝S×M，InAlSb探測器芯片的表面積為S,每平方英寸面積通過的極化電流M，0.1M10A/sq.in；
所述InAlSb探測器芯片表面阻值通過測定InAlSb探測器芯片的電壓得到，電壓值為N，1N50V；
步驟四：清洗InAlSb探測器芯片；
步驟五：將InAlSb探測器芯片放入PECVD設(shè)備中，制備介質(zhì)膜。
2.如權(quán)利要求1所述的一種InAlSb紅外探測器表面鈍化方法，其特征是：所述有機(jī)溶劑是指乙醇、甲醇、丙酮、異丙醇，InAlSb探測器芯片浸泡的時間T1，1T12000s。
3.如權(quán)利要求1所述的一種InAlSb紅外探測器表面鈍化方法，其特征是：所述酸性溶液是指氫氟酸、鹽酸、硝酸、檸檬酸，InAlSb探測器芯片浸泡的時間T2，1T21000s。
4.如權(quán)利要求1所述的一種InAlSb紅外探測器表面鈍化方法，其特征是：所述PECVD制備的介質(zhì)膜是指SiO2、SiNO、SiNx。
5.如權(quán)利要求4所述的一種InAlSb紅外探測器表面鈍化方法，其特征是：所述介質(zhì)膜的厚度為D，100D10000nm，介質(zhì)膜的折射率為T，1.3T1.5。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國空空導(dǎo)彈研究院，未經(jīng)中國空空導(dǎo)彈研究院許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811438567.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
