[發明專利]一種硅晶圓的蝕刻液在審
| 申請號： | 201811435355.8 | 申請日： | 2018-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN109321253A | 公開（公告）日： | 2019-02-12 |
| 發明（設計）人： | 李少平;張庭;賀兆波;尹印;馮凱;萬楊陽;王書萍 | 申請（專利權）人： | 湖北興福電子材料有限公司 |
| 主分類號： | C09K13/08 | 分類號： | C09K13/08 |
| 代理公司： | 宜昌市三峽專利事務所 42103 | 代理人： | 成鋼 |
| 地址： | 443007 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 蝕刻 硅晶圓 蝕刻液 硝酸 形貌 表面活性劑 表面形貌 溶液粘度 氧化物 稀釋劑 電子級氫氟酸 氧化劑 醋酸 電子級醋酸 電子級磷酸 電子級硫酸 電子級硝酸 蝕刻均勻性 蝕刻表面 穩定反應 氧化能力 超純水 電離度 氫氟酸 溶解劑 磷酸 傳質 可控 去除 硫酸 平整 溶解 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅晶圓的蝕刻液，其特征在于，所述的蝕刻液主要成分包括占蝕刻液總重量10-50%的硝酸，1-5%的氫氟酸，5-20%的硫酸，10-30%的磷酸，1-10%的醋酸，0.001-3%的表面活性劑，20-50%的水。
2.根據權利要求1所述的硅晶圓的蝕刻液，其特征在于，所述的表面活性劑為非離子表面活性劑，具體為聚氧乙烯辛基苯酚醚-10、脂肪醇聚氧乙烯醚、聚氧乙烯脫水山梨醇單油酸酯、環氧乙烷環氧丙烷嵌段聚醚中的一種或幾種的混合物。
3.根據權利要求1所述的硅晶圓的蝕刻液，其特征在于，所述的水是在25℃下電阻率≥15.0MΩ*cm的超純水。
4.根據權利要求1所述的硅晶圓的蝕刻液，其特征在于，所述的硝酸為電子級硝酸，濃度為68-72%。
5.根據權利要求1所述的硅晶圓的蝕刻液，其特征在于，所述的氫氟酸為電子級氫氟酸，濃度為45-60%。
6.根據權利要求1所述的硅晶圓的蝕刻液，其特征在于，所述的硫酸為電子級硫酸，濃度≥96%。
7.根據權利要求1所述的硅晶圓的蝕刻液，其特征在于，所述的磷酸為電子級磷酸，濃度≥85%。
8.根據權利要求1所述的硅晶圓的蝕刻液，其特征在于，所述的醋酸為電子級醋酸，濃度≥98%。
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