[發(fā)明專利]USB C電路板在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811434720.3 | 申請(qǐng)日： | 2018-11-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN109587930A | 公開（公告）日： | 2019-04-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鐘軒禾;林昱宏;黎光善 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 岱煒科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H05K1/02 | 分類號(hào)： | H05K1/02 |
| 代理公司： | 無(wú)錫市匯誠(chéng)永信專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 顧一明 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)灣新*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 地層 隔離空間 內(nèi)導(dǎo)線層 電源隔離 隔離電源 地部 復(fù)數(shù) 噪聲 電路板 低頻訊號(hào) 電路基板 多層電路 高頻導(dǎo)線 板型態(tài) 磁場(chǎng) 電路 傳遞 封閉 | ||
1.一種USB C電路板，包括：
一電路基板，為多層電路板，且包括有一內(nèi)導(dǎo)線層、一設(shè)于內(nèi)導(dǎo)線層上的第一蓋地層、一設(shè)于內(nèi)導(dǎo)線層背離該第一蓋地層一側(cè)的電源隔離層、及一設(shè)于電源隔離層背離該內(nèi)導(dǎo)線層一側(cè)的第二蓋地層；
一設(shè)于內(nèi)導(dǎo)線層上的低頻訊號(hào)線組；
復(fù)數(shù)平行設(shè)置于內(nèi)導(dǎo)線層上且位于低頻訊號(hào)線組兩側(cè)的高頻導(dǎo)線群；
復(fù)數(shù)間隔設(shè)置于第一蓋地層內(nèi)的高頻蓋地部，各高頻蓋地部的長(zhǎng)度大于各高頻導(dǎo)線群，以覆蓋高頻導(dǎo)線群；
復(fù)數(shù)分別界定于高頻蓋地部之間隙處的第一隔離空間，供隔離高頻蓋地部間的訊號(hào)傳遞；
復(fù)數(shù)間隔設(shè)置于電源隔離層內(nèi)的隔離電源組，各隔離電源組的長(zhǎng)度大于各高頻導(dǎo)線群，以覆蓋高頻導(dǎo)線群；及
復(fù)數(shù)分別界定于隔離電源組之間隙處的第二隔離空間，供隔離隔離電源組間的訊號(hào)傳遞。
2.如權(quán)利要求1所述的USB C電路板，其特征在于，高頻導(dǎo)線群包括有一第一高頻導(dǎo)線組、一平行設(shè)置于第一高頻導(dǎo)線組一側(cè)的第二高頻導(dǎo)線組、一設(shè)于低頻訊號(hào)線組背離第二高頻導(dǎo)線組一側(cè)的第三高頻導(dǎo)線組、及一平行設(shè)置于第三高頻導(dǎo)線組背離低頻訊號(hào)線組一側(cè)的第四高頻導(dǎo)線組，第一高頻導(dǎo)線組包括一第一接地導(dǎo)線、一對(duì)平行設(shè)置于第一接地導(dǎo)線一側(cè)的第一高頻導(dǎo)線、及一平行設(shè)置于第一高頻導(dǎo)線背離第一接地導(dǎo)線一側(cè)的第一電源導(dǎo)線，且第二高頻導(dǎo)線組包括一平行設(shè)置于第一電源導(dǎo)線一側(cè)的第二接地導(dǎo)線、一對(duì)平行設(shè)置于第二接地導(dǎo)線背離第一電源導(dǎo)線一側(cè)的第二高頻導(dǎo)線、及一平行設(shè)置于第二高頻導(dǎo)線背離第二接地導(dǎo)線一側(cè)的第二電源導(dǎo)線，又第三高頻導(dǎo)線組包括一第三電源導(dǎo)線、一對(duì)平行設(shè)置于第三電源導(dǎo)線一側(cè)第三高頻導(dǎo)線、及一平行設(shè)置于第三高頻導(dǎo)線背離第三電源導(dǎo)線一側(cè)的第三接地導(dǎo)線，并第四高頻導(dǎo)線組包括有一平行設(shè)置于第三接地導(dǎo)線一側(cè)的第四電源導(dǎo)線、一對(duì)平行設(shè)置于第四電源導(dǎo)線背離第三接地導(dǎo)線一側(cè)的第四高頻導(dǎo)線、及一平行設(shè)置于第四高頻導(dǎo)線背離第四電源導(dǎo)線一側(cè)的第四接地導(dǎo)線。
3.如權(quán)利要求1所述的USB C電路板，其特征在于，第一蓋地層內(nèi)具有一與低頻訊號(hào)線組位置對(duì)應(yīng)的低頻蓋地部，低頻蓋地部的長(zhǎng)度大于該低頻訊號(hào)線組，以覆蓋低頻訊號(hào)線組。
4.如權(quán)利要求1所述的USB C電路板，其特征在于，第二蓋地層內(nèi)設(shè)置有復(fù)數(shù)位置對(duì)應(yīng)于隔離電源組間的間隙處的其他訊號(hào)線。
5.如權(quán)利要求1所述的USB C電路板，其特征在于，電路基板還包括一設(shè)于內(nèi)導(dǎo)線層上的第一絕緣層、及一設(shè)于電源隔離層背離內(nèi)導(dǎo)線層一側(cè)的第二絕緣層，且第一絕緣層包覆該第一蓋地層，而第二絕緣層包覆第二蓋地層。
6.如權(quán)利要求5所述的USB C電路板，其特征在于，第一絕緣層上設(shè)有一電性連接低頻訊號(hào)線組的低頻焊接部組、及復(fù)數(shù)并排排列于第一絕緣層上且位于低頻焊接部組兩側(cè)，并電性連接各高頻導(dǎo)線群的高頻焊接群，且各高頻焊接群包括有一個(gè)設(shè)于低頻焊接部組一側(cè)的電源焊接部、二個(gè)設(shè)于電源焊接部背離低頻焊接部組一側(cè)的高頻焊接部、及一設(shè)于高頻焊接部背離電源焊接部一側(cè)的接地焊接部。
7.如權(quán)利要求6所述的USB C電路板，其特征在于，電源焊接部及接地焊接部上分別形成有復(fù)數(shù)開孔部，供電性連接內(nèi)導(dǎo)線層并供大電流通過(guò)。
8.如權(quán)利要求7所述的USB C電路板，其特征在于，高頻焊接部包括一設(shè)于端處的導(dǎo)圓部、復(fù)數(shù)分別形成于各導(dǎo)圓部上供電性連接內(nèi)導(dǎo)線層的貫孔部、及復(fù)數(shù)分別由高頻焊接部一側(cè)延伸形成至導(dǎo)圓部相鄰的側(cè)處，且呈相互平行等距間隔的延伸切圓部。
9.如權(quán)利要求6所述的USB C電路板，其特征在于，電路基板還包括至少一設(shè)于內(nèi)導(dǎo)線層背離第一絕緣層一側(cè)的隔層部，且隔層部上具有復(fù)數(shù)分別與高頻焊接部位置對(duì)應(yīng)的阻抗調(diào)節(jié)部。
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