[發(fā)明專利]一種上轉(zhuǎn)換發(fā)光選擇性增強(qiáng)的上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料及其制備方法

在審

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• 申請日: 2018-11-28
• 公開（公告）號(hào): CN109456757A
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李寶軍;李娟;張偉娜
• 申請（專利權(quán)）人: 暨南大學(xué)
• 主分類號(hào): C09K11/58
• 分類號(hào): C09K11/58
• 代理公司: 北京高沃律師事務(wù)所 11569
• 代理人: 劉奇

1.一種上轉(zhuǎn)換發(fā)光選擇性增強(qiáng)的上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料，呈實(shí)芯圓柱狀，由內(nèi)至外依次包括微米光纖玻璃芯、金納米薄膜和均勻分散在金納米薄膜表面的上轉(zhuǎn)換納米顆粒；所述微米光纖玻璃芯的直徑為0.05～10μm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料，其特征在于，所述微米光纖玻璃芯為將光纖的緩沖層和聚合物夾層剝離，將所得纖芯加熱拉長至所需直徑得到。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料，其特征在于，所述金納米薄膜的厚度為10～25nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料，其特征在于，所述上轉(zhuǎn)換納米顆粒為六方β相NaYF₄:Yb³⁺,Er³⁺。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料，其特征在于，所述上轉(zhuǎn)換納米顆為橢球形，所述橢球形的長軸長為35～41nm，短軸長29～35nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1、4或5所述的上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料，其特征在于，所述上轉(zhuǎn)換納米顆粒的負(fù)載密度為(1.0～5.0)×10¹⁴個(gè)/平方米。

7.權(quán)利要求1～6任意一項(xiàng)所述的上轉(zhuǎn)換發(fā)光選擇性增強(qiáng)的上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料的制備方法，包括以下步驟：

在微米光纖玻璃芯表面沉積一層金納米薄膜，將上轉(zhuǎn)換納米顆粒溶液浸濕金納米薄膜表面，干燥后得到上轉(zhuǎn)換發(fā)光選擇性增強(qiáng)的上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述沉積的方法為濺射鍍膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述濺射鍍膜的濺射電流為10～20mA。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述上轉(zhuǎn)換納米顆粒溶液的濃度為0.02～2mg/mL。