[發(fā)明專利]導電圖案、包括該圖案的顯示設(shè)備和制造導電圖案的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811433105.0 | 申請日: | 2018-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN109841658A | 公開(公告)日: | 2019-06-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李俊杰;高京秀;申相原;李東敏;金湘甲;孫尚佑;申鉉億;崔新逸 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 郭艷芳;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 導電圖案 錐角 顯示設(shè)備 第一層 基板 圖案 鋁合金 制造 | ||
1.一種顯示設(shè)備的導電圖案,包括:
包括鋁或鋁合金的第一層,布置在基板上并且與所述基板形成第一錐角;以及
第二層,布置在所述第一層上并且與所述第一層形成第二錐角,
其中所述第二錐角小于所述第一錐角。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導電圖案,其中所述第二層包括:
第一組件層,布置在所述第一層上并且包括氮化鈦;以及
第二組件層,布置在所述第一組件層上并且包括鈦。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導電圖案,其中所述第二層進一步包括:
第三組件層,布置在所述第二組件層上并且包括氮化鈦;以及
第四組件層,布置在所述第三組件層上并且包括鈦。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的導電圖案,其中:
所述第一組件層具有至范圍的厚度;并且
所述第二組件層、所述第三組件層和所述第四組件層中的每一個具有至范圍的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的導電圖案,其中,所述第二層具有至少的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的導電圖案,其中,所述第二層進一步包括布置在所述第四組件層上并且包括氮化鈦的第五組件層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的導電圖案,其中,所述第五組件層的厚度小于所述第一組件層至所述第四組件層中的每一個的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導電圖案,其中,所述第一組件層中的氮與鈦的原子比在0.9至1.2的范圍內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導電圖案,其中:
所述第二層包括多個順序?qū)訅旱慕M件層;并且
所述組件層中的每一個的錐角相同,或者在遠離所述第一層的方向上逐漸減小。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導電圖案,其中,所述第一層的所述錐角小于60°。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的導電圖案,其中,所述第二層的所述錐角小于50°。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導電圖案,其中:
所述第二層包括彼此交替層壓的鉭層和鈦層;并且
所述第一層的上表面接觸所述鉭層。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導電圖案,其中:
所述第一層包括導電層;并且
所述第二層包括封蓋層。
14.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導電圖案,其中,所述第一組件層和所述第二組件層中的至少一個組件層包括在所述至少一個組件層的側(cè)部處的尖端或底切部分。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





