[發(fā)明專利]從較快存儲器級操作較高優(yōu)先級用戶的多級系統(tǒng)存儲器配置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811432878.7
• 申請日: 2018-11-28
• 公開（公告）號: CN109992528A
• 公開（公告）日: 2019-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: M.阿拉法;K.維斯瓦納坦
• 申請（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號: G06F12/0811
• 分類號: G06F12/0811;G06F12/084;G06F12/0842
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 姜冰;張金金

描述了一種方法。所述方法包括識別通過較快較高級別和較慢較低級別所表征的多級系統(tǒng)存儲器的較高優(yōu)先級用戶，其中較高級別將充當(dāng)較低級別的高速緩存，并且其中較高級別的第一容量小于較低級別的第二容量，使得較高級別的高速緩存資源是可超額預(yù)訂的。所述方法還包括執(zhí)行下列至少一個：斷言不可用的第二容量的量以降低高速緩存資源的超額預(yù)訂；分配多級系統(tǒng)存儲器的系統(tǒng)存儲器地址空間，使得與較低優(yōu)先級用戶關(guān)聯(lián)的請求將不和與較高優(yōu)先級用戶關(guān)聯(lián)的請求競爭高速緩存資源。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的領(lǐng)域一般涉及計算科學(xué)，并且更具體來說涉及從較快存儲器級來操作較高優(yōu)先級用戶的多級系統(tǒng)存儲器配置。

背景技術(shù)

計算系統(tǒng)設(shè)計員不斷尋求改進(jìn)其系統(tǒng)的效率和/或性能的方式。計算系統(tǒng)的效率和/或性能一般取決于其系統(tǒng)存儲器。因此，系統(tǒng)設(shè)計員近來已更加注重系統(tǒng)存儲器設(shè)計和/或系統(tǒng)存儲器使用模型。

附圖說明

根據(jù)結(jié)合附圖的以下詳細(xì)描述，能夠得到對本發(fā)明的更佳理解，在附圖中：

圖1示出具有多級系統(tǒng)存儲器的計算系統(tǒng)；

圖2示出為較高優(yōu)先級用戶提供更快級別的多級系統(tǒng)存儲器的第一配置；

圖3示出為較高優(yōu)先級用戶提供更快級別的多級系統(tǒng)存儲器的第一配置；

圖4示出用于配置計算機(jī)系統(tǒng)的方法；

圖5示出計算系統(tǒng)。

具體實施方式

圖1示出具有多分層或多級系統(tǒng)存儲器112的計算系統(tǒng)100的實施例。按照各個實施例，較小較快的近存儲器113（例如較高帶寬和/或小訪問時間等）可被用作較大較慢的遠(yuǎn)存儲器114（例如較低帶寬和/或大訪問時間等）的高速緩存。在各個實施例中，近存儲器113被用來存儲系統(tǒng)存儲器112中保存的程序代碼和/或數(shù)據(jù)的更頻繁訪問項。通過在近存儲器113中存儲更頻繁使用項，系統(tǒng)存儲器112將被視為更快，因為系統(tǒng)常常將從/對在較快近存儲器113中存儲的項進(jìn)行讀取/寫入。

按照各個實施例，近存儲器113比更低分層的遠(yuǎn)存儲器114具有更低的訪問時間。例如，近存儲器113可通過比遠(yuǎn)存儲器114具有更快時鐘速度來展現(xiàn)縮減的訪問時間。在這里，近存儲器113可以是與存儲器控制器116共處的較快（例如較低訪問時間）易失性系統(tǒng)存儲器技術(shù)（例如高性能動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）和/或SRAM存儲器單元）。相反，遠(yuǎn)存儲器114可以是以較慢時鐘速度所實現(xiàn)的易失性存儲器技術(shù)（例如接收較慢時鐘的DRAM組件）或者例如比易失性/DRAM存儲器或被用于近存儲器的無論什么技術(shù)更慢（例如更長訪問時間）的非易失性存儲器技術(shù)。

例如，遠(yuǎn)存儲器114可由新興非易失性隨機(jī)存取存儲器技術(shù)來組成，例如（為列舉幾種可能性）基于相變的存儲器、三維交叉點存儲器、“原地寫入”非易失性主存儲器裝置、具有由硫?qū)倩锼M成的存儲單元的存儲器裝置、多個級別的閃速存儲器、多閾值級別閃速存儲器、基于鐵電的存儲器（例如FRAM）、基于磁的存儲器（例如MRAM）、基于自旋轉(zhuǎn)移矩的存儲器（例如STT-RAM）、基于電阻器的存儲器（例如ReRAM）、基于憶阻器的存儲器、通用存儲器、Ge2Sb2Te5存儲器、可編程金屬化單元存儲器、非晶單元存儲器、奧式（Ovshinsky）存儲器等。這些技術(shù)中的任一種可以是字節(jié)可尋址的，以便被實現(xiàn)為計算系統(tǒng)中的系統(tǒng)存儲器（又稱作“主存儲器”）而不是傳統(tǒng)的基于塊或扇區(qū)的非易失性海量存儲裝置。

新興非易失性隨機(jī)存取存儲器技術(shù)通常具有下列項的某種組合：1）比DRAM更高的存儲密度（例如通過在三維（3D）電路結(jié)構(gòu)（例如交叉點3D電路結(jié)構(gòu)）中構(gòu)建）；2）比DRAM更低的功率消耗密度（例如因為它們不需要刷新）；和/或3）比DRAM更慢但是仍然比傳統(tǒng)非易失性存儲器技術(shù)（例如FLASH）更快的訪問等待時間。特別是后一特性準(zhǔn)許各種新興非易失性存儲器技術(shù)被用于主系統(tǒng)存儲器角色中而不是傳統(tǒng)海量存儲裝置角色（其是非易失性存儲裝置的傳統(tǒng)架構(gòu)位置）中。