[發明專利]測定陶瓷或玻璃質材料主體中成分濃度的方法有效
| 申請號： | 201811431631.3 | 申請日： | 2018-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN109991196B | 公開（公告）日： | 2023-06-06 |
| 發明（設計）人： | H·弗里德里克 | 申請（專利權）人： | 賀利氏石英玻璃有限兩合公司 |
| 主分類號： | G01N21/59 | 分類號： | G01N21/59 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 劉媛媛 |
| 地址： | 德國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 測定 陶瓷 玻璃 材料 主體 成分 濃度 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于測定陶瓷或玻璃質材料主體中成分濃度的方法，其包含測量在測量方向上穿透所述玻璃主體的測量波的光學路徑長度或信號傳播時間，其特征在于將覆蓋在20到300千兆赫茲之間的頻率范圍的調制千兆赫茲輻射用作所述測量波，其中所述主體由具有高硅酸含量的玻璃制成，并且所述成分包含羥基、氫、金屬氧化物和/或鹵素。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述主體由石英玻璃制成，并且所述成分為氟。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于所述千兆赫茲輻射是頻率調制的。
4.根據權利要求1到3中任一權利要求所述的方法，其特征在于所述玻璃主體被來自不同測量方向的所述千兆赫茲輻射穿透，其中測定每個測量方向的相應的光學路徑長度或相應的信號傳播時間。
5.根據前述權利要求1到3中任一權利要求所述的方法，其特征在于所述陶瓷或玻璃質材料主體相對于至少一個用于所述千兆赫茲輻射的發射器以固定方式定位，其中移動所述發射器以圍繞所述陶瓷或玻璃質材料主體測定所述成分濃度的三維分布曲線。
6.根據權利要求1到3中任一權利要求所述的方法，其特征在于所述陶瓷或玻璃質材料主體的表面與發射器或接收器之間的距離大于或小于位于所述千兆赫茲輻射的主發射方向上的所述主體的尺寸。
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