[發明專利]高位MOS管的驅動電路

有效

• 申請號: 201811429717.2
• 申請日: 2018-11-26
• 公開（公告）號: CN109450232B
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發明（設計）人: 朱垚;權少強
• 申請（專利權）人: 普聯技術有限公司
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 麥小嬋;郝傳鑫

本發明公開了一種高位MOS管的驅動電路，包括依次連接的輸入電路、光耦隔離電路和驅動電路；所述輸入電路的電壓輸入端和所述驅動電路的電壓輸入端均連接供電電源；所述輸入電路用于為所述光耦隔離電路提供電源電壓，并將驅動信號傳輸至所述光耦隔離電路；所述光耦隔離電路包括光電耦合器，用于根據所述驅動信號高低實現所述光電耦合器的通斷；所述驅動電路用于根據所述光電耦合器的通斷實現對高位MOS管的驅動。通過驅動信號的高低實現光電耦合器的通斷，利用所述光電耦合器對電路進行了隔離，使得所述高位MOS管的柵極電壓的參考電壓不依賴于“地”，進而所述驅動電路能根據所述光電耦合器的通斷實現對高位MOS管的驅動。

技術領域

本發明涉及驅動電路技術領域，尤其涉及一種高位MOS管的驅動電路。

背景技術

高位MOS管是指MOS管連接在電路中，MOS管的源極沒有直接接地。參見圖1，示例性的，以高位MOS管連接在BUCK電路中進行說明，BUCK電路中主MOS管是高位MOS管，所述主MOS管M1的源極不直接接地，源極分別連接了二極管的陰極和電感的一端，當所述主MOS管M1導通時，如果MOS管是直接接地的，源極點的電壓就會被拉低，但是高位MOS管的源極不直接接地，則其源極點電壓就會被抬升至于與漏極相同的電壓，此時如果柵極電壓不夠高或者不能跟隨著源極點電壓變化升高，則可能導致導通壓降不夠而關閉所述主MOS管M1，所以需要一個驅動高位MOS管的驅動電路。

現有技術中，采用升壓泵+自舉電容+驅動電路來實現驅動，參見圖2和圖3，發明人在實現本發明實施例時，發現現有技術存在以下缺陷，所需要的元器件多，電路結構復雜，成本高，所以需要一種新型的高位MOS管驅動電路。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于，提供一種高位MOS管的驅動電路，能實現對高位MOS管的驅動，電路結構簡單，成本低。

為了解決上述技術問題，本發明提出了一種高位MOS管的驅動電路，包括依次連接的輸入電路、光耦隔離電路和驅動電路；

所述輸入電路的電壓輸入端和所述驅動電路的電壓輸入端均連接供電電源；

所述輸入電路用于為所述光耦隔離電路提供電源電壓，并將驅動信號傳輸至所述光耦隔離電路；

所述光耦隔離電路包括光電耦合器，用于根據所述驅動信號高低實現所述光電耦合器的通斷；

所述驅動電路用于根據所述光電耦合器的通斷實現對高位MOS管的驅動。

優選地，所述光電耦合器的發光器件的正極與所述輸入電路的電壓輸出端連接，所述發光器件的負極與所述輸入電路的驅動信號輸出端連接，所述光電耦合器的光接收器件的集電極與所述驅動電路的第一輸出端連接，所述光接收器件的發射極與所述驅動電路的第二輸出端連接；其中，所述驅動電路的第一輸出端用于連接所述高位MOS管的柵極，所述驅動電路的第二輸出端用于連接所述高位MOS管的源極。

優選地，所述驅動電路包括第一電阻、第二電阻、第一電容、第二電容和第一二極管；

所述第一二極管的正極連接所述供電電源，所述第一二極管的負極分別連接所述第一電阻的一端和所述第一電容的一端；

所述第二電容的一端分別連接所述第一電阻的另一端、所述光接收器件的集電極及所述第二電阻的一端，所述第二電容的另一端分別連接所述第一電容的另一端、所述第二輸出端及所述光接收器件的發射極；

所述第二電阻的另一端連接所述第一輸出端。

優選地，所述輸入電路包括第三電阻；

所述第三電阻的一端連接所述輸入電路的電壓輸入端，所述第三電阻的另一端連接所述輸入電路的電壓輸出端。

優選地，所述輸入電路還包括第四電阻；