[發(fā)明專利]截面加工觀察方法、帶電粒子束裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811425291.3
• 申請日: 2018-11-27
• 公開（公告）號(hào): CN109841534B
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 滿欣
• 申請（專利權(quán)）人: 日本株式會(huì)社日立高新技術(shù)科學(xué)
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 黃綸偉;孫明浩

1.一種截面加工觀察方法，其特征在于，該截面加工觀察方法具有如下的工序：

三維設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)取得工序，取得具有三維立體構(gòu)造物的試樣的所述三維立體構(gòu)造物的三維設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)；

移動(dòng)工序，根據(jù)所述三維設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的坐標(biāo)信息使所述試樣移動(dòng)；

表面觀察工序，取得所述試樣的表面的觀察像；

截面形成工序，對(duì)所述試樣的所述表面照射離子束，形成所述三維立體構(gòu)造物的截面；

截面觀察工序，取得所述截面的觀察像；以及

顯示工序，顯示所述表面的觀察像和通過離子束形成的所述截面的觀察像、以及所述三維設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的與取得了觀察像的所述表面和通過離子束形成的所述截面相當(dāng)?shù)奈恢玫谋砻婧徒孛娴膱D像數(shù)據(jù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的截面加工觀察方法，其特征在于，所述截面加工觀察方法具有如下的工序：

新截面形成工序，按照預(yù)先設(shè)定的切片寬度對(duì)所述截面進(jìn)行切片加工，從而形成新的截面；以及

更新工序，對(duì)所述三維設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的與所述新的截面相當(dāng)?shù)奈恢玫慕孛娴膱D像數(shù)據(jù)進(jìn)行更新。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的截面加工觀察方法，其特征在于，所述截面加工觀察方法具有如下的工序：

定位工序，根據(jù)所述三維設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)進(jìn)行所述試樣的取樣的定位；以及

比較工序，在所述截面形成工序中，對(duì)所述試樣的所述截面的觀察像和所述三維設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的與所述截面的觀察像相當(dāng)?shù)奈恢玫慕孛娴乃鰣D像數(shù)據(jù)進(jìn)行比較。

4.一種帶電粒子束裝置，其特征在于，該帶電粒子束裝置具有：

帶電粒子束鏡筒，其對(duì)具有三維立體構(gòu)造物的試樣照射帶電粒子束從而形成試樣的截面；

存儲(chǔ)部，其存儲(chǔ)所述三維立體構(gòu)造物的三維設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)；

二次粒子檢測器，其檢測通過照射所述帶電粒子束而從所述試樣的表面和通過離子束形成的截面產(chǎn)生的二次粒子；

像形成部，其根據(jù)所述二次粒子檢測器的檢測信號(hào)形成所述試樣的表面和通過離子束形成的所述截面的觀察像；以及

顯示控制部，其使所述表面的觀察像和通過離子束形成的所述截面的觀察像、以及所述三維設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的與取得了觀察像的所述表面和通過離子束形成的所述截面相當(dāng)?shù)奈恢玫谋砻婧徒孛娴膱D像數(shù)據(jù)進(jìn)行顯示。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的帶電粒子束裝置，其特征在于，

所述帶電粒子束裝置具有更新部，該更新部與通過照射所述帶電粒子束而進(jìn)行的所述試樣的切片加工聯(lián)動(dòng)地，對(duì)所述三維設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的與通過切片加工而新露出的截面相當(dāng)?shù)奈恢玫慕孛娴膱D像數(shù)據(jù)進(jìn)行更新。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的帶電粒子束裝置，其特征在于，

所述帶電粒子束裝置還具有比較部，該比較部對(duì)所述試樣的觀察像和所述三維設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中的與所述截面相當(dāng)?shù)奈恢玫乃鰣D像數(shù)據(jù)進(jìn)行比較。