[發(fā)明專利]一種高熵合金復(fù)合構(gòu)件及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811425173.2 | 申請日： | 2018-11-27 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN109266947A | 公開（公告）日： | 2019-01-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李揚(yáng)德;盧昆;高寬 | 申請（專利權(quán)）人： | 東莞顛覆產(chǎn)品設(shè)計(jì)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C22C30/02 | 分類號(hào)： | C22C30/02;C22C30/00;B22D19/00;B22D18/02;B29C45/14 |
| 代理公司： | 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 楊艷;韓丹 |
| 地址： | 523000 廣東省東莞市松山湖高*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 高熵合金 復(fù)合構(gòu)件 低熔點(diǎn) 殼層 預(yù)制 熔點(diǎn) 低熔點(diǎn)材料 高分子材料 金屬材料 注塑加工 制備 | ||
1.一種高熵合金復(fù)合構(gòu)件，其特征在于，包括高熵合金預(yù)制核件和低熔點(diǎn)殼層，所述低熔點(diǎn)殼層由熔點(diǎn)低于680℃的高分子材料或者金屬材料制成，所述高熵合金預(yù)制核件與所述低熔點(diǎn)殼層的厚度之比為1:0.1-0.99；所述高熵合金預(yù)制核件的厚度為0.1-20mm。
2.如權(quán)利要求1所述的高熵合金復(fù)合構(gòu)件，其特征在于，所述高熵合金預(yù)制核件的材質(zhì)為鋯基高熵合金、鈦基高熵合金、銅基高熵合金、鐵基高熵合金、鋁基高熵合金、鎂基高熵合金、鈷基高熵合金、鎳基高熵合金、稀土基高熵合金中的一種或多種的組合。
3.如權(quán)利要求1所述的高熵合金復(fù)合構(gòu)件，其特征在于，所述高熵合金預(yù)制核件的材質(zhì)為CrFeCoNiCu或CoCrFeMnNi。
4.如權(quán)利要求1所述的高熵合金復(fù)合構(gòu)件，其特征在于，所述低熔點(diǎn)殼層的材質(zhì)為鋁、鋁合金、鎂、鎂合金、鋅、鋅合金、鉍、鎘、錫、鉛、鏑、銦中的一種或者多種。
5.如權(quán)利要求1所述的高熵合金復(fù)合構(gòu)件，其特征在于，所述低熔點(diǎn)殼層的材質(zhì)為塑料、樹脂或橡膠中的一種或兩種以上。
6.如權(quán)利要求1所述的高熵合金復(fù)合構(gòu)件，其特征在于，所述高熵合金預(yù)制核件與所述低熔點(diǎn)殼層倒角匹配。
7.如權(quán)利要求1所述的高熵合金復(fù)合構(gòu)件，其特征在于，所述高熵合金預(yù)制核件的厚度為5-15mm。
8.一種制備如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的高熵合金復(fù)合構(gòu)件的方法，包括以下步驟：
1)將高熵合金預(yù)制材料預(yù)制得到高熵合金預(yù)制核件；
2)將高熵合金預(yù)制核件裝設(shè)于模具中；
3)將熔融的低熔點(diǎn)殼層的原料注入模具的高熵合金預(yù)制核件的外部，施加壓力壓制成型，得到低熔點(diǎn)殼層；
4)冷卻成型，得到高熵合金復(fù)合構(gòu)件。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，步驟2)中，所述模具包括模腔、澆口和壓力倉，所述澆口連接壓力倉與模腔，所述澆口及模腔內(nèi)均設(shè)有感應(yīng)加熱裝置。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，步驟3)中，所述澆口和模腔相接處接口截面面積與模腔腔口截面相匹配。
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