[發明專利]晶片的分割方法和晶片的分割裝置在審
| 申請號: | 201811424973.2 | 申請日: | 2018-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN109860110A | 公開(公告)日: | 2019-06-07 |
| 發明(設計)人: | 中村勝 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78;H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 喬婉;于靖帥 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 粘接帶 分割裝置 芯片 分割 晶片保持部 環狀框架 晶片分割 收縮 作用吸引力 分割起點 收納 固定部 固定面 載置 加熱 松弛 吸引 | ||
1.一種晶片的分割方法,將借助粘接帶被收納于具有對晶片進行收納的開口的環狀框架并沿著交叉的多條分割預定線形成有分割起點的晶片分割成各個芯片,并且維持相鄰的芯片彼此之間的間隔,其中,
該晶片的分割方法包含如下的工序:
載置工序,將借助粘接帶被收納于該環狀框架的晶片載置于分割裝置,該分割裝置具有晶片保持部、框架固定部和遠離單元,該晶片保持部具有隔著粘接帶對晶片進行吸引保持的保持面,該框架固定部具有與該保持面成為同一平面并且對該環狀框架進行固定的固定面,該遠離單元使該晶片保持部和該框架固定部相對地遠離而使粘接帶擴展,從而將晶片分割成各個芯片;
擴展工序,在不對載置于該分割裝置的晶片作用該晶片保持部的吸引力的狀態下使該遠離單元進行動作而使粘接帶擴展,從而將晶片分割成各個芯片,并且在相鄰的芯片彼此之間形成間隔;
吸引保持工序,在粘接帶已擴展的狀態下使該晶片保持部的吸引力進行作用而隔著粘接帶對晶片進行吸引保持;以及
收縮工序,使該晶片保持部和該框架固定部相對地接近并且對處于晶片與框架之間的產生了松弛的粘接帶進行加熱而使該粘接帶收縮,直至該保持面與該固定面成為同一平面為止,
該收縮工序包含如下的防泄漏子工序:對產生了松弛的粘接帶進行加熱而使該粘接帶收縮,以使得在該保持面與該固定面成為同一平面的過程中不會在該保持面上產生空氣的泄漏。
2.根據權利要求1所述的晶片的分割方法,其中,
在配設于該晶片保持部的壓力計的值發生了變化時實施該防泄漏步驟。
3.根據權利要求1所述的晶片的分割方法,其中,
該防泄漏步驟按照預先設定的時機實施。
4.根據權利要求1至3中的任意一項所述的晶片的分割方法,其中,
在停止了該保持面與該固定面的接近的狀態下實施該防泄漏步驟。
5.一種晶片的分割裝置,其將借助粘接帶被收納于具有對晶片進行收納的開口的環狀框架并沿著分割預定線形成有分割起點的晶片分割成各個芯片,并且維持相鄰的芯片彼此之間的間隔,其中,
該晶片的分割裝置具有:
晶片保持部,其具有隔著粘接帶對晶片進行吸引保持的保持面;
框架固定部,其具有與該保持面成為同一平面并且對該環狀框架進行固定的固定面;
遠離單元,其使該晶片保持部和該框架固定部相對地遠離而使粘接帶擴展,從而將晶片分割成各個芯片;
加熱單元,其對處于晶片與該環狀框架之間的產生了松弛的粘接帶進行加熱而使該粘接帶收縮;以及
控制單元,
該控制單元實施如下的控制:
擴展控制,在不對載置于該晶片保持部的晶片作用該晶片保持部的吸引力的狀態下使該遠離單元進行動作而使粘接帶擴展,從而將晶片分割成各個芯片,并且在相鄰的芯片彼此之間形成間隔;
吸引保持控制,在粘接帶已擴展的狀態下使該晶片保持部的吸引力進行作用而隔著粘接帶對晶片進行吸引保持;以及
收縮控制,使該晶片保持部和該框架固定部相對地接近并且利用該加熱單元對處于晶片與該環狀框架之間的產生了松弛的粘接帶進行加熱而使該粘接帶收縮,直至該保持面與該固定面成為同一平面為止,
該控制單元在該收縮控制中對產生了松弛的粘接帶進行加熱而使該粘接帶收縮,以使得在該保持面與該固定面成為同一平面的過程中不會在該保持面上產生空氣的泄漏。
6.根據權利要求5所述的晶片的分割裝置,其中,
在該晶片保持部中配設有壓力計,
該控制單元在配設于該晶片保持部的壓力計的值發生了變化時,利用該加熱單元對產生了松弛的粘接帶進行加熱而使該粘接帶收縮,從而防止泄漏。
7.根據權利要求5所述的晶片的分割裝置,其中,
該控制單元按照預先設定的時機利用該加熱單元對產生了松弛的粘接帶進行加熱而使該粘接帶收縮,從而防止泄漏。
8.根據權利要求5或6所述的晶片的分割裝置,其中,
該控制單元在停止了該保持面與該固定面的接近的狀態下利用該加熱單元對產生了松弛的粘接帶進行加熱而使該粘接帶收縮。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





