[發明專利]具有集成散熱器的微電子封裝在審
| 申請號: | 201811424542.6 | 申請日: | 2018-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN110010564A | 公開(公告)日: | 2019-07-12 |
| 發明(設計)人: | N·尼爾;D·W·門德爾;C·M·杰哈;K·P·洛夫格林 | 申請(專利權)人: | 英特爾公司 |
| 主分類號: | H01L23/367 | 分類號: | H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝;王英 |
| 地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成散熱器 微電子封裝 第一表面 第二管 管芯 制造 | ||
1.一種微電子封裝,包括:
第一管芯;
第二管芯;以及
集成散熱器,所述集成散熱器包括第一表面,所述第一表面限定位于所述第一管芯和所述第二管芯之間的第一缺口。
2.根據權利要求1所述的微電子封裝,還包括位于所述第一缺口內的填充物。
3.根據權利要求2所述的微電子封裝,其中,所述填充物的導熱率比所述集成散熱器的導熱率小至少一個數量級。
4.根據權利要求1所述的微電子封裝,其中,所述第一缺口至少部分地圍繞所述第一管芯或所述第二管芯。
5.根據權利要求1所述的微電子封裝,其中,所述集成散熱器具有厚度,并且所述第一缺口的深度為所述厚度的約80%至約95%。
6.根據權利要求1所述的微電子封裝,其中,所述第一管芯具有第一功率密度,并且所述第二管芯具有第二功率密度,所述第一功率密度比所述第二功率密度小至少一個數量級。
7.根據權利要求1所述的微電子封裝,還包括第三管芯,所述集成散熱器還限定位于所述第一管芯和所述第三管芯之間的第二缺口。
8.根據權利要求7所述的微電子封裝,其中,所述第一缺口和所述第二缺口各自具有相似的輪廓。
9.根據權利要求7所述的微電子封裝,其中,所述集成散熱器還限定位于所述第二管芯和所述第三管芯之間的第三缺口。
10.根據權利要求1所述的微電子封裝,還包括第三管芯,所述集成散熱器還限定位于所述第三管芯與所述第一管芯及所述第二管芯之間的第二缺口。
11.根據權利要求1所述的微電子封裝,還包括吸熱器,所述吸熱器附接到所述集成散熱器的第二表面。
12.根據權利要求1-11中任一項所述的微電子封裝,其中,所述第一缺口將所述第一管芯與所述第二管芯熱隔離。
13.一種制造微電子封裝的方法,所述方法包括:
將第一管芯和第二管芯附著到襯底;
在集成散熱器的第一表面中形成第一缺口;以及
將所述集成散熱器附接到所述第一管芯和所述第二管芯,使得所述第一缺口位于所述第一管芯和所述第二管芯之間。
14.根據權利要求13所述的方法,還包括在所述第一缺口內應用填充物。
15.根據權利要求13所述的方法,其中,形成所述第一缺口包括形成所述第一缺口,使得當所述集成散熱器附接到所述第一管芯和所述第二管芯時,所述第一缺口至少部分地圍繞所述第一管芯或所述第二管芯。
16.根據權利要求13所述的方法,還包括:
將第三管芯附接到所述襯底;
在所述集成散熱器中形成第二缺口;以及
將所述集成散熱器附接到所述第三管芯,使得所述第二缺口位于所述第一管芯和所述第三管芯之間。
17.根據權利要求16所述的方法,還包括在所述集成散熱器中形成第三缺口,使得當所述集成散熱器附接到所述第一管芯、所述第二管芯和所述第三管芯時,所述第三缺口位于所述第二管芯和所述第三管芯之間。
18.根據權利要求13所述的方法,還包括:
將第三管芯附接到所述襯底;
在所述集成散熱器中形成第二缺口;以及
將所述集成散熱器附接到所述第三管芯,使得所述第二缺口位于所述第三管芯與所述第一管芯及所述第二管芯之間。
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