[發明專利]存儲器件

在審

• 申請號: 201811423583.3
• 申請日: 2018-11-27
• 公開（公告）號: CN110021329A
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發明（設計）人: 南尚完;郭東勛;金完東;尹治元
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C16/08
• 分類號: G11C16/08;G11C16/12;G11C16/24
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜

1.一種存儲器件，所述存儲器件包括：

存儲單元陣列，所述存儲單元陣列包括：多條字線、在所述多條字線上方的第一串選擇線，以及在所述第一串選擇線與所述多條字線之間的第二串選擇線；以及

控制器，所述控制器對連接到所述多條字線中的第一字線的第一存儲單元的操作期間，向所述第一串選擇線供應第一電壓并向所述第二串選擇線供應第二電壓，其中所述第二電壓大于所述第一電壓。

2.根據權利要求1所述的存儲器件，其中，所述操作包括：讀取存儲在所述第一存儲單元中的數據的讀取操作、驗證所述第一存儲單元是否被擦除的擦除驗證操作，以及讀取和驗證被編程在所述第一存儲單元中的數據的編程驗證操作。

3.根據權利要求1所述的存儲器件，其中，所述控制器向所述第一字線供應第一字線電壓，并向所述多條字線中不同于所述第一字線的第二字線供應大于所述第一字線電壓的第二字線電壓。

4.根據權利要求3所述的存儲器件，其中，所述控制器向所述第一串選擇線供應所述第二字線電壓，并向所述第二串選擇線供應大于所述第二字線電壓的第三電壓。

5.根據權利要求3所述的存儲器件，其中，所述第一字線和所述第二字線共享單個溝道區域。

6.根據權利要求1所述的存儲器件，其中，所述存儲單元陣列包括：

所述多條字線下方的第一接地選擇線，以及

所述多條字線與所述第一接地選擇線之間的第二接地選擇線。

7.根據權利要求6所述的存儲器件，其中，當執行讀取所述第一存儲單元的數據時，所述控制器：

向所述第一接地選擇線供應第一接地選擇線電壓；以及

向所述第二接地選擇線供應大于所述第一接地選擇線電壓的第二接地選擇線電壓。

8.根據權利要求6所述的存儲器件，其中，連接到所述第一接地選擇線的第一接地選擇晶體管的閾值電壓大于連接到所述第二接地選擇線的第二接地選擇晶體管的閾值電壓。

9.根據權利要求1所述的存儲器件，其中，連接到所述第一串選擇線的第一串選擇晶體管的閾值電壓大于連接到所述第二串選擇線的第二串選擇晶體管的閾值電壓。

10.根據權利要求1所述的存儲器件，其中，所述存儲單元陣列包括：

所述多條字線與所述第二串選擇線之間的上虛設字線；以及

所述多條字線下方的下虛設字線。

11.根據權利要求10所述的存儲器件，其中，在所述第一存儲單元的擦除驗證期間，所述控制器向所述上虛設字線和所述下虛設字線中的至少一個供應大于所述第一電壓的第一虛設電壓。

12.根據權利要求11所述的存儲器件，其中，所述第一虛設電壓小于或等于所述第二電壓。

13.根據權利要求11所述的存儲器件，其中，所述控制器向所述上虛設字線供應所述第一虛設電壓并向所述下虛設字線供應第二虛設電壓，其中所述第二虛設電壓小于或等于所述第一虛設電壓。

14.根據權利要求1所述的存儲器件，其中，所述多條字線包括：

共享下溝道區域的多條下字線，以及

多條上字線，所述多條上字線共享連接到所述下溝道區域的上部的上溝道區域，并且

其中所述存儲器件還包括：

在所述多條下字線與所述多條上字線之間的中間虛設字線。

15.根據權利要求14所述的存儲器件，其中，在讀取連接到所述多條下字線中的任何一條下字線的所述第一存儲單元的數據期間，所述控制器向所述中間虛設字線供應大于所述第一電壓的第三虛設電壓。