[發(fā)明專利]光電子器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811423086.3 | 申請日： | 2018-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN109868138A | 公開（公告）日： | 2019-06-11 |
| 發(fā)明（設計）人： | 方牧懷;胡淑芬;劉如熹;V·拉簡德蘭;G·N·A·德古茲曼;張合;呂侊懋;林晏申;康桀侑;賴俊銘 | 申請（專利權）人： | 億光電子工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號： | C09K11/80 | 分類號： | C09K11/80;C09K11/67;C09K11/64;C09K11/62;H01L33/50 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 張福根;馮志云 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光電子器件 熒光材料 激發(fā)光 紅外光 食品成分分析 安全攝像機 半導體芯片 虹膜 反射光譜 輻射通量 工作期間 激光探測 近紅外光 面部識別 受激發(fā)光 虛擬現實 醫(yī)學檢測 應用需求 波長 筆記本 測量 發(fā)射 游戲 激發(fā) 應用 | ||
1.一種光電子器件，其特征在于，包括：
半導體芯片，其用于在所述光電子器件工作期間發(fā)出激發(fā)光；
熒光材料，其受激發(fā)光激發(fā)下，發(fā)射出波長范圍600～1500nm的光。
2.根據權利要求1所述的光電子器件，其特征在于，所述熒光材料的化學式為La3Ga5(1-x)M1O14:5xCr3+，其中0.01≤x≤0.1，M1為Si或Ge。
3.根據權利要求1所述的光電子器件，其特征在于，所述熒光材料的化學式為La3(1-x)Ga5(1-y)GeO14:3xSm3+,5yCr3+,其中0.01≤x≤0.5和0.01≤y≤0.1。
4.根據權利要求1所述的光電子器件，其特征在于，所述熒光材料的化學式為Ca3Ga2-xGe3O12:xCr3+，其中0<x≤0.1。
5.根據權利要求1所述的光電子器件，其特征在于，所述熒光材料的化學式為LaGa1-xGe2O7:xCr3+，其中0<x≤0.2。
6.根據權利要求1所述的光電子器件，其特征在于，所述熒光材料的化學式為BaZr1-xSi3O9:xCr3+，其中0<x≤0.1。
7.根據權利要求1所述的光電子器件，其特征在于，所述熒光材料的化學式為Zn3Al2-xGe4O14:2xCr3+，其中0<x≤0.2。
8.根據權利要求1所述的光電子器件，其特征在于，所述熒光材料的化學式為Ca2Ga2(1-x)GeO7:2xCr3+，其中0<x≤0.1。
9.根據權利要求1所述的光電子器件，其特征在于，所述熒光材料的化學式為Zn3Ga2(1-x)GeyO(6+2y):xCr3+，其中0<x≤0.5，y為1-5之間的整數。
10.根據權利要求9所述的光電子器件，其特征在于，所述熒光材料的化學式為Zn3Ga2(1-x)Ge4O14:2xCr3+，其中0<x≤0.2。
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