[發(fā)明專利]石墨基材的碳化硅涂布方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811422419.0 | 申請日： | 2018-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN111217622A | 公開（公告）日： | 2020-06-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 金錫津 | 申請（專利權(quán)）人： | 卡博尼克斯有限公司 |
| 主分類號： | C04B41/87 | 分類號： | C04B41/87 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡勝有;鄭毅 |
| 地址： | 韓國全*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 石墨 基材 碳化硅 方法 | ||
1.一種石墨基材的碳化硅涂布方法，其特征在于：
在將用于形成涂層的石墨基材與固態(tài)硅投入到真空腔室中之后以1,200～2,000℃進行熱處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨基材的碳化硅涂布方法，其特征在于：
上述固態(tài)硅被含載到多孔性材料的空隙內(nèi)部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨基材的碳化硅涂布方法，其特征在于：
上述固態(tài)硅，
被堆放在利用多孔性材料構(gòu)成的載體上部且上述載體位于利用在上述涂布溫度下穩(wěn)定的材料構(gòu)成的容器內(nèi)部。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的石墨基材的碳化硅涂布方法，其特征在于：
上述硅以粉末或粒子或碎塊狀態(tài)堆放。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至權(quán)利要求4中的某一項所述的石墨基材的碳化硅涂布方法，其特征在于：
上述利用在涂層溫度下穩(wěn)定的多孔性材料構(gòu)成的載體是石墨、碳化鋁或碳化硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求2至權(quán)利要求4中的某一項所述的石墨基材的碳化硅涂布方法，其特征在于：
上述載體中的孔隙的直徑是0.05～1mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求2至權(quán)利要求4中的某一項所述的石墨基材的碳化硅涂布方法，其特征在于：
上述載體的孔隙率是10～60％。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求4中的某一項所述的石墨基材的碳化硅涂布方法，其特征在于：
在上述固態(tài)硅與基材之間追加安裝有單獨的氣體分配盤。
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