[發(fā)明專利]基于h-BN/p-AlGaN超晶格的高效深紫外發(fā)光二極管

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811421092.5
• 申請日: 2018-11-27
• 公開（公告）號: CN109411576A
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發(fā)明（設計）人: 周小偉;王燕麗;吳金星;李培咸;許晟瑞;馬曉華;郝躍
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H01L33/04
• 分類號: H01L33/04;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00
• 代理公司: 陜西電子工業(yè)專利中心 61205
• 代理人: 王品華;朱紅星

1.一種基于h-BN/p-AlGaN超晶格的高效深紫外發(fā)光二極管，自下而上包括：襯底(1)、n型Al_xGa_1-xN層(2)、Al_yGa_1-yN/Al_zGa_1-zN多量子阱層(3)和p型層(4)，其特征在于：p型層(4)采用由h-BN和p-Al_wGa_1-wN按5-40個周期交替生長的h-BN/p-Al_wGa_1-wN超晶格，以增加空穴遷移率，降低深紫外發(fā)光二極管中的電流擁堵，提高器件發(fā)光效率。

2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述h-BN/p-Al_wGa_1-wN超晶格的的每層h-BN層厚度為3-12nm和p-Al_wGa_1-wN層的厚度為2-10nm，p-Al_wGa_1-wN層摻雜濃度范圍為6×10¹⁶cm^-1-6×10¹⁷cm^-1，Al含量w的調整范圍為0-1。

3.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述襯底(1)為GaN或AlN或藍寶石或SiC或Si。

4.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述的n型Al_xGa_1-xN層(2)的厚度為1000-6000nm，摻雜濃度為5×10¹⁷cm^-1-1×10¹⁹cm^-1，Al含量x的調整范圍為0.35-1。

5.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述Al_yGa_1-yN/Al_zGa_1-zN多量子阱層(3)由厚度為1-8nm的Al_yGa_1-yN阱層和厚度為8-25nm的Al_zGa_1-zN壘層交替生長3-8個周期組成，Al含量y的調整范圍為0.25-0.9，Al含量z的調整范圍為0.35-1。