[發(fā)明專利]一種量子點發(fā)光二極管的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811420343.8
• 申請日: 2018-11-26
• 公開（公告）號: CN111224018B
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 聶志文;楊一行
• 申請（專利權(quán)）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50
• 代理公司: 深圳市君勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種量子點發(fā)光二極管的制備方法，所述量子點發(fā)光二極管為正型器件，其特征在于，包括步驟：

提供陽極；

在所述陽極表面形成空穴功能層；

在所述空穴功能層表面形成一層短鏈配體化合物；

在所述短鏈配體化合物表面形成量子點發(fā)光層；

在所述量子點發(fā)光層表面形成一層長鏈配體化合物；

所述短鏈配體化合物選自主鏈碳原子數(shù)小于8的硫醇、硫酚、含硫的鹽、碳原子數(shù)為2-10的有機胺和鹵化物中的一種或多種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，采用真空蒸鍍的方法在所述空穴功能層表面沉積一層短鏈配體化合物。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，采用真空蒸鍍的方法在所述量子點發(fā)光層表面沉積一層長鏈配體化合物。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的量子點發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述采用真空蒸鍍的方法在所述空穴功能層表面沉積一層短鏈配體化合物的條件：蒸鍍的溫度為50-200℃，和/或蒸鍍的時間為1-60 min。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的量子點發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述采用真空蒸鍍的方法在所述量子點發(fā)光層表面沉積一層長鏈配體化合物的條件：蒸鍍的溫度為50-200℃，和/或蒸鍍的時間為1-60 min。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述主鏈碳原子數(shù)小于8的硫醇選自3-巰基丙酸、巰基乙醇、巰基己醇、丙二硫醇、2-巰基-3丁醇、1，2-乙烷二硫醇、1,6-己二硫醇、1，4-二巰基-2，3-丁二醇、6-巰基己醇、半胱氨酸、丙烷-1,2,3-三硫醇和2，3-二巰基-1-丙硫醇中的一種或多種；和/或

所述硫酚選自苯硫醇、1，2-苯二硫醇、1，3-苯二硫醇和1，4-苯二硫醇中的一種或多種；和/或

所述含硫的鹽包括硫氰酸銨、硫化銨、二硫代氨基甲酸酯和二硫代氨基甲酸鋅中的一種或多種；和/或

所述碳原子數(shù)為2-10的有機胺選自正辛胺、癸胺、1，2-乙二胺和二乙氨基乙醇中的一種或多種；和/或

所述鹵化物選自NH₄F、NH₄Cl、NH₄Br、LiF、KF、NaF、BeF₂、MgF₂、CaF₂、AlF₃、InF₃、LiCl、NaCl、MgCl₂、CaCl₂、ZnCl₂、AlCl₃、GaCl₃、InCl₃、LiBr、NaBr、MgBr₂、CaBr₂、ZnBr₂、AlBr₃、GaBr₃、InBr₃、LiI、NaI、MgI₂、CaI₂、ZnI₂、GaI₃、InI₃、碘化四丁基銨、溴化四丁基銨、氯化四丁基銨和氟化四丁基銨中的一種或多種。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的量子點發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述長鏈配體化合物選自主鏈碳原子數(shù)大于等于8的硫醇和含氨基的聚合物中的一種或兩種。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的量子點發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述主鏈碳原子數(shù)大于等于8的硫醇選自辛基硫醇、十二烷基硫醇、叔-十二硫醇、1,8-辛二硫醇11-巰基十一醇、11-巰基十一烷酸、1 ,8-二巰基-3 ,6-二硫雜辛烷、6，8-二巰基辛酸、十二烷基硫醇鋅聚合物和三聚硫氰酸中的一種或多種；和/或

所述含氨基的聚合物選自聚(酰氨基胺)樹枝狀大分子、聚醚胺和氨基硅酮中的一種或多種。