[發明專利]絨面均勻鈣鈦礦膜的液膜速涂氣刀速干法抑爬原位析晶連續制備方法有效
| 申請號: | 201811418885.1 | 申請日: | 2018-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN109524551B | 公開(公告)日: | 2021-01-19 |
| 發明(設計)人: | 楊冠軍;李小磊;劉梅軍;李臻;高黎黎;李長久;李成新 | 申請(專利權)人: | 西安交通大學 |
| 主分類號: | H01L51/42 | 分類號: | H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人: | 田洲 |
| 地址: | 710049 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 均勻 鈣鈦礦膜 液膜速涂氣刀速干法抑爬 原位 連續 制備 方法 | ||
1.絨面均勻鈣鈦礦膜的液膜速涂氣刀速干法抑爬原位析晶連續制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
第一步,鈣鈦礦液膜的均勻涂覆:將鈣鈦礦前驅體溶膠或溶液涂覆在具有金字塔絨面形貌的基底上,形成一層均勻仿形鈣鈦礦液膜;
第二步,仿形鈣鈦礦液膜的快速干燥:采用多流氣刀的5~20個氣流通道完成對仿形鈣鈦礦液膜的干燥;
第三步,鈣鈦礦液膜的熱氣退火處理:采用多流氣刀30~50個氣流通道,以溫度為80~160℃的氣體對鈣鈦礦薄膜進行10~30min的熱處理,去除殘余溶劑并使晶粒長大,得到全覆蓋仿金字塔形的絨面均勻鈣鈦礦薄膜;
第二步在鈣鈦礦液膜涂覆后與干燥的過程中,在棱角處局部外法向固相和液相中溶質的總量與設計量之比不低于棱角處局部外法向鈣鈦礦薄膜可承受最小厚度與設計厚度之比前,完成對仿形鈣鈦礦液膜的干燥;
第一步涂覆的仿形鈣鈦礦液膜的厚度小于金字塔平均特征高度的60%;
金字塔平均特征高度范圍為5-20微米。
2.根據權利要求1所述的絨面均勻鈣鈦礦膜的液膜速涂氣刀速干法抑爬原位析晶連續制備方法,其特征在于,所述固相和液相中溶質的總量包括已形核結晶的固相鈣鈦礦和液相中尚未結晶的鈣鈦礦。
3.根據權利要求2所述的絨面均勻鈣鈦礦膜的液膜速涂氣刀速干法抑爬原位析晶連續制備方法,其特征在于,所述已形核結晶的固相鈣鈦礦包括固相鈣鈦礦和以絡合物形式存在的鈣鈦礦。
4.根據權利要求1所述的絨面均勻鈣鈦礦膜的液膜速涂氣刀速干法抑爬原位析晶連續制備方法,其特征在于,所述的金字塔絨面形貌的基底為硅金字塔絨面。
5.根據權利要求1所述的絨面均勻鈣鈦礦膜的液膜速涂氣刀速干法抑爬原位析晶連續制備方法,其特征在于,所述的金字塔絨面形貌的基底為沉積有仿形隧穿層的硅金字塔絨面、涂覆有仿形空穴傳輸層的硅金字塔絨面或涂覆有仿形電子傳輸層的硅金字塔絨面。
6.根據權利要求1所述的絨面均勻鈣鈦礦膜的液膜速涂氣刀速干法抑爬原位析晶連續制備方法,其特征在于,第二步中,在多流氣刀液膜快速干燥設備中采用多流氣刀的5~20個氣流通道完成對仿形鈣鈦礦液膜的干燥;通氣時,所通氣體為不與鈣鈦礦液膜發生反應的氣體。
7.根據權利要求6所述的絨面均勻鈣鈦礦膜的液膜速涂氣刀速干法抑爬原位析晶連續制備方法,其特征在于,不與鈣鈦礦液膜發生反應的氣體為空氣、氮氣或氬氣。
8.根據權利要求1所述的絨面均勻鈣鈦礦膜的液膜速涂氣刀速干法抑爬原位析晶連續制備方法,其特征在于,鈣鈦礦前驅體溶膠或溶液中溶質的化學通式為ABX3,其中A選自烷基胺、堿金屬或其組合,B選自鉛、錫或其組合,X選自Br、Cl、I或其組合。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西安交通大學,未經西安交通大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811418885.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





