[發(fā)明專利]一種push-push注鎖式倍頻器電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811418265.8 | 申請日： | 2018-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN109617530A | 公開（公告）日： | 2019-04-12 |
| 發(fā)明（設計）人： | 王昕宇 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海奧令科電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H03B19/14 | 分類號： | H03B19/14 |
| 代理公司： | 北京慕達星云知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 李冉 |
| 地址： | 200000 上海市浦東新區(qū)中國（上海）*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 漏極 倍頻器電路 鎖式 源極連接 源極 差分輸入信號 交叉耦合對管 輸出功率 輸入功率 低功耗 高效率 接地 變壓器 共源 | ||
1.一種push-push注鎖式倍頻器電路，其特征在于，包括：輸入差分對管、交叉耦合對管、LC電路；所述輸入差分對管由第一NMOS管和第二NMOS管組成；所述第一NMOS管的漏極與所述第二NMOS管的漏極連接，形成共漏極端；所述第一NMOS管的源極與所述第二NMOS管的源極連接，形成第一共源極端，且所述第一共源極端接地；所述第一NMOS管的柵極與所述第二NMOS管的柵極接一對差分輸入信號；所述交叉耦合對管由第三NMOS管和第四NMOS管組成；所述第三NMOS管的柵極與所述第四NMOS管的漏極連接，構(gòu)成第一柵漏連接端；所述第四NMOS管的柵極與第三NMOS管的漏極連接，構(gòu)成第二柵漏連接端；所述第三NMOS管的源極和所述第四NMOS管的源極連接，形成第二共源極端；所述共漏極端與所述第二共源極端連接；所述第一柵漏連接端和所述第二柵漏連接端接在所述LC電路的兩端，且所述第一柵漏連接端和所述第二柵漏連接端為輸出；所述LC電路的電感上設置有中心抽頭，所述中心抽頭為高電位。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種push-push注鎖式倍頻器電路，其特征在于，所述LC電路替換為變壓器；所述第一柵漏連接端和所述第二柵漏連接端分別與所述變壓器的初級線圈的兩端連接；所述初級線圈上設置有中心抽頭，所述中心抽頭為高電位；所述變壓器的次級線圈的兩端做輸出。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種push-push注鎖式倍頻器電路，其特征在于，采用集成電路工藝進行單片集成。
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