[發明專利]具有垂直結構的非易失性存儲裝置及包括其的存儲系統

有效

• 申請號: 201811415432.3
• 申請日: 2018-11-26
• 公開（公告）號: CN109841241B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發明（設計）人: 任琫淳;金真憐;沈相元;樸一漢
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C11/34
• 分類號: G11C11/34;G11C11/4067
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 屈玉華

1.一種非易失性存儲裝置，包括：

第一半導體層，其包括在第一方向上延伸的多個字線、在第二方向上延伸的多個位線、在第一方向上彼此相鄰的第一上基板和第二上基板、以及存儲單元陣列，其中所述存儲單元陣列包括在所述第一上基板上的第一垂直結構和在所述第二上基板上的第二垂直結構；以及

第二半導體層，其在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上在所述第一半導體層下方，其中所述第二半導體層包括下基板，所述下基板包括多個行解碼器電路和多個頁緩沖器電路，

其中所述第一垂直結構包括第一通路區域，第一通孔通路提供在所述第一通路區域中，其中所述第一通孔通路穿過所述第一垂直結構并連接第一位線和第一頁緩沖器電路，以及

所述第二垂直結構包括第一部分塊，其中所述第一部分塊在所述第一方向上重疊所述第一通路區域。

2.如權利要求1所述的非易失性存儲裝置，其中所述第二半導體層包括在沿所述第三方向重疊所述存儲單元陣列的點處沿所述第一方向和所述第二方向劃分的第一區域、第二區域、第三區域和第四區域，

其中所述第一區域和所述第二區域在所述第一方向上彼此相鄰，所述第二區域和所述第三區域在所述第二方向上彼此相鄰，

其中所述第一頁緩沖器電路位于所述第一區域中并且所述第二頁緩沖器電路位于所述第三區域中。

3.如權利要求2所述的非易失性存儲裝置，其中所述多個行解碼器電路包括分別位于所述第二區域和所述第四區域中的第一行解碼器電路和第二行解碼器電路，以及

所述第一部分塊電連接到所述第二行解碼器電路。

4.如權利要求1所述的非易失性存儲裝置，其中所述第二垂直結構還包括第二通路區域，第二通孔通路提供在所述第二通路區域中，其中所述第二通孔通路穿過所述第二垂直結構并連接第二位線和第二頁緩沖器電路，

其中所述第一垂直結構還包括第二部分塊，其中所述第二部分塊在所述第一方向上重疊所述第二通路區域。

5.如權利要求1所述的非易失性存儲裝置，其中所述第一部分塊包括堆疊在所述第二上基板上的多個柵極導電層。

6.如權利要求5所述的非易失性存儲裝置，其中所述第一部分塊包括多個柱，所述多個柱穿過所述多個柵極導電層并且在所述第三方向上從所述第二上基板的頂表面延伸。

7.如權利要求5所述的非易失性存儲裝置，其中所述第一部分塊包括穿過所述多個柵極導電層的第二通孔通路。

8.如權利要求1所述的非易失性存儲裝置，其中所述第二垂直結構還包括第二通路區域，第二通孔通路提供在所述第二通路區域中，其中所述第二通孔通路穿過所述第二垂直結構并連接第二位線和第二頁緩沖器電路，以及

其中所述第一垂直結構還包括第二部分塊，其中所述第二部分塊在所述第一方向上重疊所述第二通路區域。