[發明專利]一種調節GaSb納米線探測器響應波長的方法

有效

• 申請號: 201811411972.4
• 申請日: 2018-11-26
• 公開（公告）號: CN109585574B
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 魏志鵬;王登魁;方鉉;房丹;王新偉;滿旭;鮑妮;范杰;馬曉輝
• 申請（專利權）人: 長春理工大學
• 主分類號: H01L31/02
• 分類號: H01L31/02;H01L31/09;H01L31/18;B82Y40/00
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1.一種調節GaSb納米線探測器響應波長的方法，所述GaSb納米線探測器包括：單根GaSb納米線，GaSb納米線兩端的Cr/Au電極，Si襯底，Si襯底表面自然氧化層SiO₂層，PECVD沉積在ITO薄膜之外區域的SiO₂層，ITO規則周期圖形薄膜層，ITO薄膜表面Au正電極，Si襯底背面用于在ITO材料上施加電場的Ni/Au負電極，其特征在于，這種方法采用電子束光刻技術將ITO規則周期圖形結構制備在單根GaSb納米線兩側，通過在ITO材料兩側施加電場改變ITO材料的表面等離子體共振頻率，通過對ITO兩端電場的調節，實現ITO材料表面等離子體共振頻率的調節，進而改變GaSb納米線探測器的特征響應波長，從而實現對GaSb納米線探測器響應波長的連續調節。

2.根據權利要求1所述的一種調節GaSb納米線探測器響應波長的方法，其特征在于，上述用于實現一種調節GaSb納米線探測器響應波長的方法，具體實現方法如下：

步驟一：采用分子束外延(MBE)在Si襯底上用Ga金屬液滴自催化生長GaSb納米線；

步驟二：將GaSb納米線從Si襯底上剝離，采用電子束光刻技術制備單根納米線探測器件；

步驟三：采用電子束光刻技術在納米線周圍制備ITO圖形結構，并在ITO上下兩端制備電極，構造電場調節表面等離子體增強頻率的GaSb納米線探測器原型器件；

步驟四：對ITO兩端施加不同大小的電場，獲得電場調節表面等離子體頻率增強的GaSb單根納米線探測器響應波長的連續可調。

3.根據權利要求1所述的一種調節GaSb納米線探測器響應波長的方法，其特征在于，用于調節表面等離子體共振頻率的ITO材料采用電子束光刻技術制備在單根GaSb納米線的兩側，并在ITO材料正面制備Au正電極，在ITO材料背面Si襯底背面制備Ni/Au電極，所述正電極和所述負電極用于對ITO材料施加可調節的電場。