[發(fā)明專利]一種磷酸根分子修飾的鈣鈦礦光伏器件及其制備方法和用途

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811409368.8
• 申請日: 2018-11-23
• 公開（公告）號: CN111223988B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 冷炫燁;周惠瓊;唐智勇
• 申請（專利權(quán)）人: 國家納米科學(xué)中心
• 主分類號: H10K30/10
• 分類號: H10K30/10;H10K85/50
• 代理公司: 北京知元同創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11535
• 代理人: 汪泉;謝怡婷

1.一種磷酸根分子修飾的鈣鈦礦光伏器件，其中，所述磷酸根分子修飾的鈣鈦礦光伏器件包括依次相連的基底電極、窗口界面層、磷酸根分子界面修飾層、鈣鈦礦活性層、背電極界面層和背電極；所述磷酸根分子界面修飾層是由含磷酸根分子界面材料的前驅(qū)體制備得到的；

所述含磷酸根分子界面材料選自含有磷酸根的分子，所述含有磷酸根的分子選自十二水植酸鈉、D-葡萄糖6-磷酸二鈉鹽水合物或磷酸中的至少一種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷酸根分子修飾的鈣鈦礦光伏器件，其中，所述基底電極選自氧化銦錫ITO導(dǎo)電玻璃、有機(jī)分子聚合物、碳薄膜材料和金屬薄膜材料中的至少一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磷酸根分子修飾的鈣鈦礦光伏器件，其中，所述基底電極的厚度為50-1000nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷酸根分子修飾的鈣鈦礦光伏器件，其中，所述窗口界面層是由窗口界面材料的前驅(qū)體制備得到的，所述窗口界面材料選自PEDOT:PSS（聚乙撐二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸鹽)）、P3CT-Li（聚[3-(4-羧基丁基)噻吩-2,5-二基]鋰鹽）、P3CTS（聚[3-(4-羧基丁基)噻吩-2,5-二基]鈉鹽）、P3CT-K（聚[3-(4-羧基丁基)噻吩-2,5-二基]鉀鹽）、P3CT-CH₃NH₃（聚[3-(4-羧基丁基)噻吩-2,5-二基]銨鹽）、平面TiO₂、平面TiO₂加介孔TiO₂、SnO₂、C膜和ZnO中的至少一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷酸根分子修飾的鈣鈦礦光伏器件，其中，所述窗口界面層的厚度為5-500nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磷酸根分子修飾的鈣鈦礦光伏器件，其中，所述窗口界面層的厚度為10-150nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷酸根分子修飾的鈣鈦礦光伏器件，其中，所述磷酸根分子界面修飾層的厚度為1-20nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磷酸根分子修飾的鈣鈦礦光伏器件，其中，所述磷酸根分子界面修飾層的厚度為5-15nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磷酸根分子修飾的鈣鈦礦光伏器件，其中，所述磷酸根分子界面修飾層的厚度為10nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷酸根分子修飾的鈣鈦礦光伏器件，其中，所述鈣鈦礦活性層是由鈣鈦礦活性材料的前驅(qū)體制備得到的，所述鈣鈦礦活性材料選自甲胺鉛碘、CH₂NHNH₂PbI₃、甲胺甲脒鉛碘、銫鉛碘、銫鉛溴、甲脒甲胺鉛碘溴和甲脒甲胺銫鉛碘溴中的至少一種。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或10所述的磷酸根分子修飾的鈣鈦礦光伏器件，其中，所述鈣鈦礦活性層的厚度為50-1000nm。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的磷酸根分子修飾的鈣鈦礦光伏器件，其中，所述鈣鈦礦活性層的厚度為200-600nm。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的磷酸根分子修飾的鈣鈦礦光伏器件，其中，所述鈣鈦礦活性層的厚度為400nm。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷酸根分子修飾的鈣鈦礦光伏器件，其中，所述背電極界面層是由背電極界面材料的前驅(qū)體制備得到的，所述背電極界面材料選自PCBM、ITIC、ITCC、PCDBT、C₆₀和BCP中的至少一種。

15.根據(jù)權(quán)利要求1或14所述的磷酸根分子修飾的鈣鈦礦光伏器件，其中，所述背電極界面層的厚度為10-300nm。