[發(fā)明專利]一種適用于銅互連工藝的顆粒去除方法

在審

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• 申請日: 2018-11-23
• 公開（公告）號: CN109449078A
• 公開（公告）日: 2019-03-08
• 發(fā)明（設計）人: 俞力洋
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

本發(fā)明公開了一種適用于銅互連工藝的顆粒去除方法，包括如下步驟：步驟S1，將用于清洗硅片表面顆粒的雙流裝置置于待清洗硅片的上方位置；步驟S2，分別向雙流裝置的第一輸入口和第二輸入口輸入氮氣和有機溶劑，氮氣和有機溶劑在雙流裝置中混合形成混合溶劑最終通過雙流裝置的噴射口將混合溶劑噴射在待清洗硅片上；步驟S3，將混合溶劑噴射于待清洗硅片表面的不同位置處，直至完成清洗過程；步驟S4，停止向雙流裝置輸入有機溶劑，僅向雙流裝置輸入氮氣，氮氣經(jīng)雙流裝置的噴射口將待清洗硅片表面吹掃干凈，本發(fā)明不僅提高了硅片清洗效果，而且解決了現(xiàn)有技術中采用硅片表面顆粒清洗方法容易在集成電路制造中腐蝕金屬的缺陷。

技術領域

本發(fā)明涉及集成電子技術領域，尤其涉及一種適用于集成電路制造中的銅互連工藝中的顆粒去除方法。

背景技術

在集成電路制造的銅互連工藝中，通常采用的顆粒去除方法是，將氮氣和去離子水混合形成混合液滴，并通過常用的噴射設備將混合液滴以較高的噴射速度噴射到待清洗的硅片上，待清洗硅片上存在的小顆粒在混合液滴的高速撞擊下脫落，從而達到去除硅片表面顆粒的效果。

但如果在通互連工藝中，需要外露銅等金屬，由于銅等金屬在水環(huán)境下極易被腐蝕，所以此時便無法采用現(xiàn)有技術中常用的氮氣和去離子水混合形成的混合物去清洗硅片表面顆粒。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述存在的技術問題，本發(fā)明的目的在于提供一種具備較好清洗效果的適用于銅互連工藝的顆粒去除方法，以解決上述技術問題。

本發(fā)明解決其技術問題采取的技術方案是，提供一種顆粒去除方法，適用于集成電路制造的銅互連工藝中，所述顆粒去除方法具體包括如下步驟：

步驟S1，將用于清洗硅片表面顆粒的雙流裝置置于待清洗硅片的上方位置；

步驟S2，向所述雙流裝置的第一輸入口輸入氮氣，并同時向所述雙流裝置的第二輸入口輸入有機溶劑，

所述氮氣和所述有機溶劑在所述雙流裝置中混合形成混合溶劑最終通過所述雙流裝置的噴射口將所述混合溶劑噴射在所述待清洗硅片上；

步驟S3，來回移動所述雙流裝置的所述噴射口，使得所述雙流裝置的所述噴射口將所述混合溶劑噴射于所述待清洗硅片表面的不同位置處，直至完成清洗過程；

步驟S4，停止向所述雙流裝置中的所述第二輸入口輸入所述有機溶劑，僅向所述雙流裝置輸入所述氮氣，所述氮氣經(jīng)所述雙流裝置的所述噴射口將所述待清洗硅片表面吹掃干凈。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，所述有機溶劑包括異丙醇。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，所述異丙醇輸入所述雙流裝置的輸入流量為10～500ml/min。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，所述氮氣的輸入流量為10～120L/min。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，于所述雙流裝置的所述噴射口噴射出的所述混合溶劑的液滴大小為10～120um。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，所述步驟S2中，所述雙流裝置的所述噴射口噴射所述混合溶劑的噴射速度為20～100m/s。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的有益效果是，采用有機溶劑，比如異丙醇等，與氮氣混合形成液滴顆粒，并通過控制液滴顆粒的大小和液滴顆粒的噴射速度，將液滴顆粒作用于待清洗的硅片上，提高了對硅片的清洗效果，同時由于異丙醇自身具備的可揮發(fā)性，并不會腐蝕銅等金屬，解決了現(xiàn)有技術中采用的去離子水和氮氣混合物清洗硅片顆粒的方法容易在集成電路制造中腐蝕外露金屬的缺陷。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例提供的適用于銅互連工藝的顆粒去除方法中所述的雙流裝置的結構示意圖；