[發明專利]一種制備二維材料防垢層的方法

在審

• 申請號: 201811405630.1
• 申請日: 2018-11-23
• 公開（公告）號: CN111218662A
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發明（設計）人: 馬來鵬;任文才;成會明
• 申請（專利權）人: 中國科學院金屬研究所
• 主分類號: C23C16/26
• 分類號: C23C16/26;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/44;C23C16/513;C23F15/00
• 代理公司: 沈陽優普達知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 21234
• 代理人: 張志偉

1.一種制備二維材料防垢層的方法，其特征在于，采用二維材料作為防垢層，通過生長的方式在基底表面形成二維材料防垢層，該方法利用前驅體的反應在基底表面形成二維材料防垢層。

2.按照權利要求1所述的制備二維材料防垢層的方法，其特征在于，二維材料為單質或化合物之一種或兩種以上的組合，包括但不局限于石墨烯及其衍生物、氮化硼、磷烯、硅烯、鍺烯、過渡金屬硫族化合物、金屬碳化合物、金屬氮化合物、金屬氧化物的一種或兩種以上的復合材料。

3.按照權利要求1所述的制備二維材料防垢層的方法，其特征在于，基底材料包括但不局限于金屬、陶瓷、聚合物之一種或兩種以上的組合。

4.按照權利要求1所述的制備二維材料防垢層的方法，其特征在于，形成二維材料防垢層的生長方法包括物理氣相沉積、化學氣相沉積、析出法之一種或兩種以上的組合。

5.按照權利要求1所述的制備二維材料防垢層的方法，其特征在于，二維材料防垢層的形貌為薄膜或其它表面三維結構。

6.按照權利要求1所述的制備二維材料防垢層的方法，其特征在于，形成二維材料防垢層的前驅體為氣體、液體或固體之一種或兩種以上的組合；前驅體通過外加方式引入，或者存在于基底材料中。

7.按照權利要求1所述的制備二維材料防垢層的方法，其特征在于，二維材料防垢層的平均厚度為0.3～100納米。