[發明專利]電子裝置與電子裝置的制造方法在審
| 申請號: | 201811403048.1 | 申請日: | 2018-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN111225512A | 公開(公告)日: | 2020-06-02 |
| 發明(設計)人: | 程惟嵩;李懿庭 | 申請(專利權)人: | 南京瀚宇彩欣科技有限責任公司;瀚宇彩晶股份有限公司 |
| 主分類號: | H05K3/30 | 分類號: | H05K3/30 |
| 代理公司: | 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀純 |
| 地址: | 210038 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子 裝置 制造 方法 | ||
1.一種電子裝置,其特征在于,包括:
一可撓式基板;以及
一電子元件層,設置在所述可撓式基板上;
其中所述可撓式基板具有一第一凹陷結構,設置在所述可撓式基板相反于所述電子元件層的一基板表面,且所述第一凹陷結構與所述可撓式基板邊緣的距離小于或等于10毫米。
2.如權利要求1所述的電子裝置,其特征在于,所述可撓式基板還具有一第二凹陷結構,設置在所述可撓式基板的所述基板表面,所述電子元件層包括一電子元件,且所述第二凹陷結構在俯視方向上與所述電子元件重疊。
3.如權利要求1所述的電子裝置,其特征在于,所述第一凹陷結構的深度小于或等于10微米。
4.如權利要求1所述的電子裝置,其特征在于,所述第一凹陷結構的深度與所述可撓式基板的最大厚度的比值小于1。
5.如權利要求1或權利要求2所述的電子裝置,其特征在于,所述第一凹陷結構在俯視方向上的圖案為點狀、條狀、圓形、多邊形或其組合。
6.如權利要求1所述的電子裝置,其特征在于,所述基板表面具有粗糙化表面的部分。
7.如權利要求1所述的電子裝置,其特征在于,所述第一凹陷結構具有燒灼痕跡。
8.一種電子裝置的制造方法,其特征在于,包括:
提供一載板;
在所述載板上形成一離型層,其中所述離型層具有相反于所述載板的一離型表面;
在所述離型層的所述離型表面上形成一可撓式基板,其中所述可撓式基板具有與所述離型表面接觸的一基板表面;
在所述可撓式基板上形成一電子元件層,以使所述可撓式基板與所述電子元件層形成一電子裝置;
在形成所述可撓式基板之后,在所述基板表面形成至少一凹陷結構,使得所述離型層與所述可撓式基板在所述凹陷結構的位置處彼此不接觸;以及
在形成所述凹陷結構之后,進行一離型工藝,將所述電子裝置從所述離型層分離。
9.如權利要求8所述的電子裝置的制造方法,其特征在于,所述可撓式基板與所述離型層之間的整體附著力小于所述離型層與所述載板之間的整體附著力。
10.如權利要求8所述的電子裝置的制造方法,其特征在于,在形成所述凹陷結構的步驟中,包括利用一激光脈沖工藝形成所述凹陷結構。
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