[發(fā)明專利]一種具有失調(diào)抑制和負載增強的穩(wěn)壓電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811401810.2
• 申請日: 2018-11-22
• 公開（公告）號: CN109710013B
• 公開（公告）日: 2020-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉簾曦;田宇淵;廖栩鋒;黃文斌;朱樟明
• 申請（專利權(quán)）人: 西安電子科技大學(xué)
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567
• 代理公司: 西安嘉思特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230
• 代理人: 張捷

1.一種具有失調(diào)抑制和負載增強的穩(wěn)壓電路，其特征在于，包括基準(zhǔn)產(chǎn)生模塊(101)，補償模塊(102)及負載增強模塊(103)，其中，

所述基準(zhǔn)產(chǎn)生模塊(101)用于產(chǎn)生帶隙基準(zhǔn)電壓；

所述補償模塊(102)連接所述基準(zhǔn)產(chǎn)生模塊(101)，用于對所述帶隙基準(zhǔn)電壓進行補償；

所述負載增強模塊(103)連接所述基準(zhǔn)產(chǎn)生模塊(101)和補償模塊(102)，用于增大所述基準(zhǔn)產(chǎn)生模塊(101)的電流負載能力；

所述基準(zhǔn)產(chǎn)生模塊(101)包括誤差放大器(OTA)、第一分壓電阻(R₁)、第二分壓電阻(R₂)、第一達林頓子模塊(1011)和第二達林頓子模塊(1012)，其中，

所述第一分壓電阻(R₁)和所述第一達林頓子模塊(1011)并聯(lián)在基準(zhǔn)輸出端(V_REF)與接地端(GND)之間；

所述第二分壓電阻(R₂)和所述第二達林頓子模塊(1012)并聯(lián)在所述基準(zhǔn)輸出端(V_REF)與所述接地端(GND)之間；

所述誤差放大器(OTA)的負輸入端連接在所述第一達林頓子模塊(1011)與所述第一分壓電阻(R₁)之間的節(jié)點處，所述誤差放大器(OTA)的正輸入端連接在所述第二達林頓子模塊(1012)與所述第二分壓電阻(R₂)之間的節(jié)點處，所述誤差放大器(OTA)的輸出端連接所述補償模塊(102)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的穩(wěn)壓電路，其特征在于，所述基準(zhǔn)產(chǎn)生模塊(101)還包括第三分壓電阻(R₃)，所述第三分壓電阻(R₃)連接在所述基準(zhǔn)輸出端(V_REF)與第一分壓電阻(R₁)之間的節(jié)點處。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的穩(wěn)壓電路，其特征在于，所述第一達林頓子模塊(1011)包括第一雙極晶體管(Q₁)和第三雙極晶體管(Q₃)，所述第二達林頓子模塊(1012)包括第二雙極晶體管(Q₂)和第四雙極晶體管(Q₄)，其中，

所述第一雙極晶體管(Q₁)的集電極連接所述誤差放大器(OTA)的負輸入端，所述第一雙極晶體管(Q₁)的發(fā)射極連接接地端(GND)，所述第一雙極晶體管(Q₁)的基極連接所述第三雙極晶體管(Q₃)的發(fā)射極；

所述第三雙極晶體管(Q₃)的集電極連接所述誤差放大器(OTA)的負輸入端，所述第三雙極晶體管(Q₃)的基極連接所述第四雙極晶體管(Q₄)的集電極；

所述第二雙極晶體管(Q₂)的集電極連接在所述第四雙極晶體管(Q₄)的集電極與所述第三雙極晶體管(Q₃)的基極之間的節(jié)點處，所述第二雙極晶體管(Q₂)的發(fā)射極連接接地端(GND)，所述第二雙極晶體管(Q₂)的基極連接所述第四雙極晶體管(Q₄)的發(fā)射極；

所述第四雙極晶體管(Q₄)的基極連接在所述第一分壓電阻(R₁)與所述第三分壓電阻(R₃)之間的節(jié)點處。