[發明專利]一種輻射探測用溴化鉈室溫半導體單晶的生長方法及設備

有效

• 申請號: 201811397346.4
• 申請日: 2018-11-22
• 公開（公告）號: CN109750348B
• 公開（公告）日: 2023-05-05
• 發明（設計）人: 韓永飛;范凱;王明軍
• 申請（專利權）人: 北京濱松光子技術股份有限公司
• 主分類號: C30B11/00
• 分類號: C30B11/00;C30B29/12
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種輻射探測用溴化鉈室溫半導體晶體的生長方法，其特征在于，將Φ9.9*25mm的籽晶及1360g原料裝入到石英坩堝（30）中，然后進行抽真空封口操作，其中坩堝柱（31）的內部尺寸為Φ64*400mm，坩堝錐的角度為120°，籽晶柱（33）的內部尺寸為Φ10*25mm，石英坩堝（30）的壁厚為3mm；將裝料后的石英坩堝裝入生長設備中的底托（14）上，其中上爐膛（11）的內徑為200mm，保溫層厚度為100mm，隔熱板（12）的材質為石板纖維板，厚度為30mm，且隔熱板（12）的內孔孔徑為75mm，底托（14）的外徑為72mm，調整支撐桿（15）高度，使籽晶柱（33）頂部高于隔熱板上表面5mm，開始以200℃/h的速率升溫，直到上爐膛（11）溫度為510℃，下爐膛（13）溫度為410℃，恒溫2小時后，開始以0.05mm/h的速度開始下降支撐桿，當下降高度達到100mm時，停止下降并啟動降溫程序，以50℃/h的速度開始降溫至室溫，然后出爐并得到等徑部分為Φ64*50mm的毛坯，外觀完整通透呈淡黃色，頂部顏色輕微加深，整體無氣泡、云層、開裂，從毛坯中取樣并在室溫環境中進行能譜測試，得到能譜結果：Cs-137放射源下能量分辨率為1.87%，Co-57反射源下能量分辨率為4.62%。