[發明專利]兩性離子化合物和包括其的光致抗蝕劑在審
| 申請號: | 201811397335.6 | 申請日: | 2018-11-22 |
| 公開(公告)號: | CN109928904A | 公開(公告)日: | 2019-06-25 |
| 發明(設計)人: | E·阿卡德;J·F·卡梅倫;J·W·薩克萊 | 申請(專利權)人: | 羅門哈斯電子材料有限責任公司 |
| 主分類號: | C07C395/00 | 分類號: | C07C395/00;C07D345/00;G03F7/027;G03F7/004 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 陳哲鋒;胡嘉倩 |
| 地址: | 美國馬*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 兩性離子化合物 光致抗蝕劑 極紫外光刻 光活性 可用 碲鹽 | ||
1.一種兩性離子,其包括一個或多個Te原子。
2.根據權利要求1所述的兩性離子,其中所述兩性離子對應于以下下式(I):
其中R1、R2和R3各自是相同或不同的非氫取代基,并且R1、R2和R3中的兩個或更多個任選地可以結合在一起以形成環;
Y不存在或是連接基團;并且
Z是陰離子基團。
3.根據權利要求1所述的兩性離子,其中所述兩性離子對應于下式(II):
其中在式(II)中:
R4、R5和每個R6是相同或不同的非氫取代基;
p是0到5的整數;
Y不存在或是連接基團;
Z是陰離子基團;并且
q是0或1,并且p和q的總和不超過5,并且如果q是0,那么R4和/或R5包括陰離子基團。
4.根據權利要求3所述的兩性離子,其中R4和/或R5包括陰離子基團。
5.根據權利要求1所述的兩性離子,其中所述兩性離子對應于下式(III):
其中:
X是單鍵或連接基團,其與所描繪的Te原子一起形成單環基團或多稠環或聯環結構;
R7是非氫取代基;
每個R7′是相同或不同的非氫環取代基;
Y不存在或是連接基團;并且
Z是陰離子基團;
p是等于0(其中不存在R7′基團)到環成員所允許的最高價的整數;
q是0或正整數,并且如果q是0,那么R7包括陰離子基團。
6.根據權利要求5所述的兩性離子,其中R7包括陰離子基團。
7.根據權利要求1所述的兩性離子,其中所述兩性離子對應于下式(IIIA):
其中:
R8是非氫取代基;
R9和R10是相同或不同的非氫環取代基;
J單鍵或連接基團;
s和s′各自獨立地是0、1、2、3和4的整數;
Y不存在或是連接基團;
Z是陰離子基團;并且
每個m和n是0或1,并且m和n的總和不超過1;并且如果m和n中的每一個是0,那么R8包括陰離子基團。
8.根據權利要求7所述的兩性離子,其中R8包括陰離子基團。
9.根據權利要求1到8中任一項所述的兩性離子,其中所述兩性離子包括可聚合基團和/或一個或多個酸不穩定基團。
10.一種光致抗蝕劑組合物,包括樹脂和一種或多種根據權利要求1到9中任一項所述的兩性離子。
11.根據權利要求10所述的光致抗蝕劑組合物,其中所述光致抗蝕劑組合物包括不同于所述一種或多種兩性離子的一種或多種酸產生劑化合物。
12.一種提供光致抗蝕劑浮雕圖像的方法,包括:
a)在襯底上涂覆根據權利要求10或11所述的光致抗蝕劑的涂層;和
b)使所述光致抗蝕劑組合物層曝露于活化輻射并且使所述曝光的光致抗蝕劑組合物涂層顯影。
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