[發明專利]一種晶圓加工設備及爐管晶圓加工時間的調節方法在審
| 申請號: | 201811394171.1 | 申請日: | 2018-11-21 |
| 公開(公告)號: | CN109545715A | 公開(公告)日: | 2019-03-29 |
| 發明(設計)人: | 羅福平 | 申請(專利權)人: | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 430205 湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 爐管 大氣壓力信息 氣壓傳感器 時間參數 采集 加工設備 晶圓加工 修正數據 調節爐 種晶 半導體技術領域 人工調節 控制爐 連接爐 實時性 外部 處理器 晶圓 預存 預設 存儲 加工 保證 | ||
1.一種晶圓加工設備,其特征在于,包括:
爐管,存儲有用于控制所述爐管的晶圓處理時間的時間參數;
氣壓傳感器,用于采集所述爐管外部的大氣壓力信息;
處理器,分別連接所述爐管和所述氣壓傳感器,以根據所述氣壓傳感器采集的所述大氣壓力信息及預存的修正數據調節所述爐管的所述時間參數。
2.根據權利要求1所述的晶圓加工設備,其特征在于,所述修正數據按照以下公式獲得調節后的所述時間參數:
T1=(P1-P)*p0/(-t0)+T
式中,T1為調節后的所述時間參數;T為標準的所述時間參數;P1為調節后的所述大氣壓力參數;P為標準的所述大氣壓力參數;p0為所述大氣壓力參數對晶圓厚度的影響系數;t0為所述時間參數對晶圓厚度的影響系數。
3.根據權利要求1所述的晶圓加工設備,其特征在于,所述爐管具有工作模式,所述工作模式包括準備模式、處理模式和退火模式;
所述晶圓處理時間為所述爐管在所述處理模式下的運行時間。
4.根據權利要求3所述的晶圓加工設備,其特征在于,所述處理模式下所述爐管內的溫度為900~1100℃。
5.根據權利要求3所述的晶圓加工設備,其特征在于,所述準備模式的持續時間為2~4h。
6.一種爐管晶圓加工時間的調節方法,其特征在于,應用于一爐管,所述爐管存儲有用于控制所述爐管的晶圓處理時間的時間參數;所述調節方法包括:
步驟S1,采集所述爐管外部的大氣壓力信息;
步驟S2,根據預設的修正數據和所述氣壓傳感器采集的所述大氣壓力信息,調節所述爐管的所述時間參數。
7.根據權利要求6所述的調節方法,其特征在于,所述修正數據按照以下公式獲得調節后的所述時間參數:
T1=(P1-P)*p0/(-t0)+T
式中,T1為調節后的所述時間參數;T為標準的所述時間參數;P1為調節后的所述大氣壓力參數;P為標準的所述大氣壓力參數;p0為所述大氣壓力參數對晶圓厚度的影響系數;t0為所述時間參數對晶圓厚度的影響系數。
8.根據權利要求6所述的調節方法,其特征在于,所述爐管具有工作模式,所述工作模式包括準備模式、處理模式和退火模式;
所述晶圓處理時間為所述爐管在所述處理模式下的運行時間。
9.根據權利要求8所述的調節方法,其特征在于,所述處理模式下所述爐管內的溫度為900~1100℃。
10.根據權利要求8所述的調節方法,其特征在于,所述準備模式的持續時間為2~4h。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





