[發明專利]晶圓鍵合方法以及鍵合晶圓在審
| 申請號： | 201811391856.0 | 申請日： | 2018-11-21 |
| 公開（公告）號： | CN109545672A | 公開（公告）日： | 2019-03-29 |
| 發明（設計）人： | 閔源;王淞山;許力恒;趙強 | 申請（專利權）人： | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/18 | 分類號： | H01L21/18;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振華;吳敏 |
| 地址： | 223302 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶圓 介質層 晶圓鍵合 鍵合 邊緣區域 中心區域 半導體器件 邊緣研磨 表面形成 后斜坡 有效地 夾縫 去除 修剪 圓鍵 種晶 環繞 空洞 覆蓋 | ||
1.一種晶圓鍵合方法，其特征在于，包括：
提供第一晶圓，所述第一晶圓內形成有半導體器件，所述第一晶圓包括中心區域以及環繞所述中心區域的邊緣區域；
在所述第一晶圓的表面形成介質層；
對所述第一晶圓進行邊緣研磨修剪，以去除所述邊緣區域表面的介質層，以及所述介質層覆蓋的所述第一晶圓的一部分；
提供第二晶圓；
將所述第一晶圓與所述第二晶圓鍵合，其中，所述介質層朝向所述第二晶圓。
2.根據權利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，所述介質層的材料選自氧化硅以及氮化硅。
3.根據權利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，在形成所述介質層之后，還包括：對所述介質層進行平坦化。
4.根據權利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，所述介質層的厚度為500nm至3000nm。
5.根據權利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，采用研磨設備對所述第一晶圓進行邊緣研磨修剪；
其中，所述研磨設備為圓筒狀的金剛石刀片。
6.根據權利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，在所述邊緣區域，所述第一晶圓包括環繞所述中心區域的第一表面，以及環繞所述第一表面的第二表面，其中，所述第一表面為平面，所述第二表面為曲面。
7.根據權利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，所述第一晶圓為器件晶圓，所述第二晶圓為承載晶圓。
8.一種鍵合晶圓，其特征在于，包括：
第一晶圓，所述第一晶圓內形成有半導體器件，所述第一晶圓包括中心區域以及邊緣區域，所述邊緣區域的第一晶圓的一部分被去除以形成凹槽；
介質層，覆蓋所述第一晶圓的中心區域的表面，且未覆蓋所述凹槽；
第二晶圓，與所述第一晶圓鍵合，其中，所述介質層朝向所述第二晶圓。
9.根據權利要求8所述的鍵合晶圓，其特征在于，所述介質層的材料選自氧化硅以及氮化硅。
10.根據權利要求8所述的鍵合晶圓，其特征在于，所述第一晶圓為器件晶圓，所述第二晶圓為承載晶圓。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
