[發明專利]一次性編程電阻式隨機存取記憶體位、記憶體及形成方法

有效

• 申請號: 201811391186.2
• 申請日: 2018-11-21
• 公開（公告）號: CN110021703B
• 公開（公告）日: 2023-08-25
• 發明（設計）人: 陳達;王炳琨;傅志正;吳健民;廖紹憬
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H10N70/00
• 分類號: H10N70/00;H10B63/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 王天堯;任默聞

本發明實施例提供一種一次性編程電阻式隨機存取記憶體位、記憶體及形成方法，包括形成電阻轉換層于底電極層上；形成頂電極層于電阻轉換層上；對電阻轉換層施加形成電壓，使頂電極層的電位低于底電極層的電位；及對電阻轉換層進行烘烤工藝，其中電阻轉換層中的空缺呈隨機分布。本發明實施例可以使讀取電流范圍變大，讀取電流累積分布函數為線性，亦可增強高溫資料保存效能。

技術領域

本發明實施例涉及一種半導體技術，尤其涉及一種一次性編程電阻式隨機存取記憶體。

背景技術

在加密領域中，密鑰僅可使用一次性編程電阻式隨機存取記憶體(one-timeprogrammable?resistive?random?access?memory，OTP?RRAM)編程一次，但亦提供不同芯片之間陣列位的隨機組合。然而，使用傳統的一次性編程方式如反熔絲(antifuse)時，參數如讀取電流為常態分布，而并非隨機分布。但對現有的一次性編程電阻式隨機存取記憶體已經足夠。

發明內容

本發明實施例提供一種一次性編程電阻式隨機存取記憶體位及形成方法，可以使讀取電流范圍變大，讀取電流累積分布函數為線性，亦可增強高溫資料保存效能，該方法包括形成電阻轉換層于底電極層上。形成頂電極層于電阻轉換層上。此方法亦包括對電阻轉換層施加形成電壓，使頂電極層的電位低于底電極層的電位。亦包括對電阻轉換層進行烘烤工藝。電阻轉換層中的空缺呈隨機分布。

本發明實施例又提供一種一次性編程電阻式隨機存取記憶體，包括：晶體管及上述的一次性編程電阻式隨機存取記憶體位。一次性編程電阻式隨機存取記憶體位的底電極電性連接至晶體管的漏極，且一次性編程電阻式隨機存取記憶體位的頂電極電性連接至位線。

本發明實施例可以使讀取電流范圍變大，讀取電流累積分布函數為線性，亦可增強高溫資料保存效能

附圖說明

以下將配合所附圖詳述本發明實施例。

圖1是根據一些實施例繪示出一次性編程電阻式隨機存取記憶體位的剖面圖；

圖2是根據一些實施例繪示出形成一次性編程電阻式隨機存取記憶體位的流程圖；

圖3是根據一些實施例繪示出一次性編程電阻式隨機存取記憶體位讀取電流的關系圖；

圖4是根據一些實施例繪示出一次性編程電阻式隨機存取記憶體位讀取電流的關系圖；

圖5是根據一些實施例繪示出一次性編程電阻式隨機存取記憶體位讀取電流的累積分布函數圖；

圖6是根據一些實施例繪示出一次性編程電阻式隨機存取記憶體的布局圖；

圖7是根據一些實施例繪示出形成一次性編程電阻式隨機存取記憶體位的流程圖。

符號說明：

100～一次性編程電阻式隨機存取記憶體位

102～底電極層

104～頂電極層

106～電阻轉換層

108～空缺

200～方法

202、204～步驟

300～一次性編程電阻式隨機存取記憶體

302～柵極

304～源極

306～漏極

308～源極線

310a、310b、310c、310d、310e、310f、310g、310h～一次性編程電阻式隨機存取記憶體位