[發(fā)明專利]包括導電圖案的半導體器件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811387764.5
• 申請日: 2018-11-20
• 公開（公告）號: CN110021581A
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發(fā)明（設計）人: 申碩浩
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 倪斌

一種半導體器件包括襯底，襯底包括沿第一方向布置的第一區(qū)域和第二區(qū)域。第一導電圖案在第一區(qū)域中在第一方向上延伸。第二導電圖案在第一區(qū)域中在第一方向上延伸。第二導電圖案與第一導電圖案間隔開。第一間隔物沿著第一導電圖案的側(cè)壁、第二導電圖案的側(cè)壁以及第一區(qū)域與第二區(qū)域之間的邊界在第一導電圖案與第二導電圖案之間延伸。第一導電圖案與第二區(qū)域之間的距離小于第二導電圖案與第二區(qū)域之間的距離。

相關申請的交叉引用

本申請要求2018年1月8日提交的韓國專利申請No.10-2018-0002069的優(yōu)先權，其公開內(nèi)容通過引用整體并入本文。

技術領域

本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例涉及一種半導體器件，更具體地，涉及一種包括導電圖案的半導體器件及其制造方法。

背景技術

半導體器件可以相對高度集成，因此半導體器件中的半導體圖案可以相對高度集成。每個單獨的半導體器件可以相對較小。因此，這種圖案的寬度和之間的間距可以相對較小。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例提供了具有一種增加的工藝裕度的半導體器件。

本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例提供了一種制造具有增加的工藝裕度的半導體器件的方法。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，半導體器件包括：襯底，包括沿第一方向布置的第一區(qū)域和第二區(qū)域。第一導電圖案在第一區(qū)域中在第一方向上延伸。第二導電圖案在第一區(qū)域中在第一方向上延伸。第二導電圖案與第一導電圖案間隔開。第一間隔物沿著第一導電圖案的側(cè)壁、第二導電圖案的側(cè)壁以及第一區(qū)域與第二區(qū)域之間的邊界在第一導電圖案與第二導電圖案之間延伸。第一導電圖案與第二區(qū)域之間的距離小于第二導電圖案與第二區(qū)域之間的距離。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，一種半導體器件包括：絕緣結(jié)構(gòu)，設置在襯底上，并且包括第一突出部，第一突出部在與襯底的頂表面平行的第一方向上突出。絕緣結(jié)構(gòu)包括第二突出部，所述第二突出部與第一突出部間隔開并且在第一方向上突出。第一導電圖案在襯底上在第一方向上從第一突出部的端部延伸。第二導電圖案在襯底上在第一方向上從第二突出部的端部延伸。第一間隔物沿著絕緣結(jié)構(gòu)的側(cè)壁、第一導電圖案的側(cè)壁和第二導電圖案的側(cè)壁在第一導電圖案與第二導電圖案之間延伸。第一突出部在第一方向上延伸的長度不同于第二突出部在第一方向上延伸的長度

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，一種半導體器件包括：襯底，包括沿第一方向布置的第一區(qū)域和第二區(qū)域、以及設置在第一區(qū)域中的多個有源區(qū)。第一導電圖案在第一區(qū)域中在第一方向上延伸。第二導電圖案在第一區(qū)域中在第一方向上延伸。第二導電圖案與第一導電圖案間隔開。直接觸點電連接到第一導電圖案。第一導電圖案與第二區(qū)域之間的距離小于第二導電圖案與第二區(qū)域之間的距離。第二導電圖案的至少一部分在與第一方向相交的第二方向上與直接觸點重疊。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，一種半導體器件包括襯底以及設置在襯底上的第導電圖案。第二導電圖案設置在襯底上。第二導電圖案與第一導電圖案平行地延伸。第一導電圖案的長度不同于第二導電圖案的長度。絕緣結(jié)構(gòu)包括第一突出部和第二突出部。第一突出部的側(cè)壁與第一導電圖案的側(cè)壁對齊。第二突出部的側(cè)壁與第二導電圖案的側(cè)壁對齊。第一間隔物設置在第一導電圖案和第一突出部之間。第二間隔物設置在第二導電圖案和第二突出部之間。

附圖說明

通過參考附圖詳細描述本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例，本發(fā)明構(gòu)思的以上和其他方面和特征將變得更顯而易見，在附圖中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的半導體器件的布局圖。

圖2是圖1的區(qū)域R的放大圖。

圖3是沿著圖2的線A-A’和B-B’截取的橫截面圖。

圖4是沿著圖2的線C-C’截取的橫截面圖。