[發明專利]攝像組件及其封裝方法、鏡頭模組、電子設備有效
| 申請號: | 201811385636.7 | 申請日: | 2018-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN111199984B | 公開(公告)日: | 2022-12-02 |
| 發明(設計)人: | 陳達;劉孟彬 | 申請(專利權)人: | 中芯集成電路(寧波)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/225 |
| 代理公司: | 上海知錦知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 高靜;李麗 |
| 地址: | 315800 浙江省寧波市北*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 攝像 組件 及其 封裝 方法 鏡頭 模組 電子設備 | ||
1.一種攝像組件的封裝方法,其特征在于,包括:
提供感光芯片和濾光片,所述感光芯片具有焊墊;
將所述濾光片貼裝至所述感光芯片上,所述濾光片面向所述感光芯片的焊墊,所述感光芯片的焊墊位于濾光片在感光芯片上投影范圍之外;
提供第一承載基板,在所述第一承載基板上臨時鍵合功能元件和所述濾光片,所述功能元件具有焊墊,所述功能元件的焊墊面向所述第一承載基板;
形成封裝層,覆蓋所述第一承載基板和功能元件,且至少覆蓋所述感光芯片的部分側壁;
去除所述第一承載基板;
去除所述第一承載基板后,在所述封裝層靠近所述濾光片的一側形成再布線結構,電連接所述感光芯片的焊墊以及所述功能元件的焊墊;
形成所述再布線結構的步驟包括:在所述封裝層內形成導電柱,電連接所述感光芯片的焊墊;
在所述封裝層靠近所述濾光片的一側形成互連線,電連接所述導電柱和功能元件的焊墊。
2.如權利要求1所述的封裝方法,其特征在于,形成所述導電柱的步驟包括:
圖形化所述封裝層,在所述封裝層內形成導電通孔,所述導電通孔露出所述感光芯片的焊墊;
在所述導電通孔內形成所述導電柱。
3.如權利要求1所述的封裝方法,其特征在于,形成所述互連線的步驟包括:提供第二承載基板,在所述第二承載基板上形成所述互連線;
形成所述再布線結構的步驟還包括:在所述導電柱和功能元件的焊墊上形成導電凸塊;將所述互連線鍵合于所述導電凸塊上。
4.如權利要求1所述的封裝方法,其特征在于,形成所述互連線的步驟包括:提供第二承載基板,在所述第二承載基板上形成所述互連線;
形成所述再布線結構的步驟還包括:在所述互連線上形成導電凸塊;將所述導電凸塊鍵合于對應的所述導電柱和功能元件的焊墊上。
5.如權利要求3或4所述的封裝方法,其特征在于,在所述第二承載基板上形成所述互連線的步驟包括:在所述第二承載基板上形成第一介質層;
圖形化所述第一介質層,在所述第一介質層內形成第一互連溝槽;
在所述第一互連溝槽內形成所述互連線;
去除所述第一介質層。
6.如權利要求4所述的封裝方法,其特征在于,在所述互連線上形成導電凸塊的步驟包括:形成第二介質層,覆蓋所述第二承載基板和互連線;
圖形化所述第二介質層,在所述第二介質層內形成互連通孔,露出部分所述互連線;
在所述互連通孔內形成所述導電凸塊;
去除所述第二介質層。
7.如權利要求2所述的封裝方法,其特征在于,形成所述互連線的步驟包括:形成所述導電通孔后,形成覆蓋所述封裝層和濾光片的第三介質層,所述第三介質層還位于所述導電通孔內;
圖形化所述第三介質層,去除所述導電通孔內、以及高于所述封裝層頂部的部分區域的第三介質層,在所述第三介質層內形成第二互連溝槽,露出所述功能元件的焊墊,且所述第二互連溝槽與所述導電通孔相連通;
在所述導電通孔內形成所述導電柱的步驟中,在所述第二互連溝槽內形成所述互連線;
去除所述第三介質層。
8.如權利要求2所述的封裝方法,其特征在于,通過激光刻蝕工藝,圖形化所述封裝層。
9.如權利要求2所述的封裝方法,其特征在于,采用電鍍工藝,在所述導電通孔內形成所述導電柱。
10.如權利要求3所述的封裝方法,其特征在于,利用植球工藝,形成所述導電凸塊。
11.如權利要求7所述的封裝方法,其特征在于,采用電鍍工藝,在所述導電通孔內形成所述導電柱、在所述第二互連溝槽內形成所述互連線。
12.如權利要求3或4所述的封裝方法,其特征在于,利用金屬鍵合工藝,進行所述鍵合步驟。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





