[發明專利]薄膜晶體管的溝道區的最終寬長比確定方法及裝置

有效

• 申請號: 201811385425.3
• 申請日: 2018-11-20
• 公開（公告）號: CN109545688B
• 公開（公告）日: 2022-01-11
• 發明（設計）人: 胡迎賓;趙策;丁遠奎;宋威;汪軍;張揚;李偉;閆梁臣
• 申請（專利權）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/66;H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 姜春咸;陳源

1.一種薄膜晶體管的溝道區的最終寬長比確定方法，其特征在于，所述確定方法包括：

S1、設置柵極在有源層上的正投影的初始寬長比；

S2、提供掩膜板，用于根據初始寬長比制得薄膜晶體管；

S3、對根據初始寬長比制得的薄膜晶體管進行測試；

S4、判斷測試結果是否滿足預定結果；

若是，執行步驟S5，若否，執行步驟S6；

S5、確定所述初始寬長比為所述薄膜晶體管的溝道區的最終寬長比；

S6、改變初始寬長比的數值，根據改變后的初始寬長比的數值調整所述掩膜 板的位置，并重復執行步驟S2至步驟S4；

其中，在薄膜晶體管的寬長比為第一寬長比的情況下，將掩膜板的位置調整到第一位置，在該位置處，薄膜晶體管的有源層上掩膜板的曝光區域的正交投影區域具有對應于第一寬長比的寬長比；

在薄膜晶體管的寬長比是不同于第一寬長比的第二寬長比的情況下，將掩膜板的位置調整到第二位置，在該位置處，薄膜晶體管的有源層上掩膜板的曝光區域的正交投影區域具有與第二寬長比相對應的寬長比，第二位置不同于第一位置。

2.根據權利要求1所述的最終寬長比確定方法，其特征在于，步驟S2包括：

形成有源層；

形成柵極絕緣層；

形成柵極材料層；

圖案化所述柵極材料層以形成柵極，所述柵極絕緣層將所述柵極與所述有源層絕緣間隔。

3.根據權利要求2所述的最終寬長比確定方法，其特征在于，所述圖案化所述柵極材料層以形成柵極的步驟包括：

形成光刻膠層；

利用掩膜板對所述光刻膠層進行曝光；

對曝光后的光刻膠層進行顯影，以形成保護圖形，所述保護圖形的形狀與所述柵極的形狀一致；

以所述保護圖形為掩膜刻蝕所述柵極材料層以形成所述柵極。

4.根據權利要求3所述的最終寬長比確定方法，其特征在于，所述薄膜晶體管的源極和所述薄膜晶體管的漏極分別位于所述有源層的長度方向的兩端，所述柵極在所述有源層上的正投影在所述有源層的寬度方向的尺寸小于所述有源層的寬度，在制造不同的薄膜晶體管時，利用同一個掩膜板執行所述利用掩膜板對所述光刻膠層進行曝光顯影的步驟，其中，所述掩膜板的曝光區域在光刻膠層的上正投影在有源層的寬度方向上的相對位置不同于在制造前一個測試結果不滿足預定結果的薄膜晶體管的柵極時，所述掩膜板的曝光區域在光刻膠層的上正投影在有源層的寬度方向上的相對位置。

5.根據權利要求2所述的最終寬長比確定方法，其特征在于，步驟S2還包括在形成有源層的步驟之前進行的：

形成遮光層，所述有源層在所述遮光層上的正投影位于所述遮光層的范圍內。

6.根據權利要求5所述的最終寬長比確定方法，其特征在于，步驟S2還包括在形成遮光層的步驟和形成有源層的步驟之間進行的：

形成緩沖層，所述有源層形成在所述緩沖層上，所述柵極絕緣層覆蓋所述緩沖層，所述柵極的一部分位于所述柵極絕緣層上，所述柵極的另一部分位于所述緩沖層上。

7.根據權利要求6所述的最終寬長比確定方法，其特征在于，步驟S2還包括在圖案化所述柵極材料層以形成柵極的步驟之后進行的：

形成層間絕緣層；

形成源極過孔、漏極過孔以及柵極過孔，所述源極過孔、所述漏極過孔和所述柵極過孔均貫穿所述層間絕緣層，所述柵極過孔設置在所述柵極位于所述緩沖層的部分上；

形成源漏圖形層，所述源漏圖形層包括源極、漏極和柵極連接件，所述源極通過所述源極過孔與所述有源層連接，所述漏極通過所述漏極過孔與所述有源層連接，所述柵極連接件通過所述柵極過孔與所述柵極連接。

8.根據權利要求2至7中任意一項所述的最終寬長比確定方法，其特征在于，有源層的材料包括IGZO、非晶ZnO、多晶ZnO、InZnO、ZnSnO中的至少一者。