[發明專利]一種太赫茲偏振調控器件及其制作方法在審
| 申請號： | 201811383848.1 | 申請日： | 2018-11-20 |
| 公開（公告）號： | CN109407352A | 公開（公告）日： | 2019-03-01 |
| 發明（設計）人： | 王大承;譚為;孫松;馮正 | 申請（專利權）人： | 中國工程物理研究院電子工程研究所 |
| 主分類號： | G02F1/01 | 分類號： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 羅滿 |
| 地址： | 621900 四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 預設區間 波長 調控器件 介電單元 超結構 介電 偏振 柱狀 長軸 全介質材料 周期性分布 短軸方向 工作效率 相位調制 襯底 短軸 制作 | ||
1.一種太赫茲偏振調控器件，其特征在于，所述太赫茲偏振調控器件包括介電超結構和襯底；
所述介電超結構為全介質材料的介電超結構，所述介電超結構包括周期性分布的介電單元，所述介電單元為柱狀介電單元；
所述柱狀介電單元的長軸長度與待調整太赫茲波長的比值處于第一預設區間中；所述柱狀介電單元的短軸長度與待調整太赫茲波長的比值處于第二預設區間中；柱狀介電單元的高度與待調整太赫茲波長的比值處于第三預設區間中；
相鄰所述柱狀介電單元在長軸方向上的間距與待調整太赫茲波長的比值處于第四預設區間中；相鄰所述柱狀介電單元在短軸方向上的間距與待調整太赫茲波長的比值處于第五預設區間中。
2.如權利要求1所述的太赫茲偏振調控器件，其特征在于，當所述太赫茲偏振調控器件用作半波片時，所述第一預設區間的范圍為0.315至0.321；所述第二預設區間的范圍為0.105至0.107；所述第三預設區間的范圍為0.570至0.582；
所述第四預設區間的范圍為0.135至0.138；所述第五預設區間的范圍為0.345至0.352。
3.如權利要求1所述的太赫茲偏振調控器件，其特征在于，當所述太赫茲偏振調控器件用作四分之一波片時，所述第一預設區間的范圍為0.274至0.279；所述第二預設區間的范圍為0.091至0.093；所述第三預設區間的范圍為0.495至0.505；
所述第四預設區間的范圍為0.117至0.120；所述第五預設區間的范圍為0.300至0.307。
4.如權利要求1所述的太赫茲偏振調控器件，其特征在于，所述柱狀介電單元為立方體介電單元或橢圓立柱介電單元。
5.如權利要求1所述的太赫茲偏振調控器件，其特征在于，所述介電超結構為高折射率低損耗材料的介電超結構。
6.如權利要求5所述的太赫茲偏振調控器件，其特征在于，所述高折射率低損耗材料包括高阻硅及高阻砷化鎵。
7.如權利要求1所述的太赫茲偏振調控器件，其特征在于，所述襯底為低折射率低損耗材料的襯底。
8.如權利要求7所述的太赫茲偏振調控器件，其特征在于，所述高折射率低損耗材料包括石英玻璃、硼硅酸玻璃、聚酰亞胺及聚二甲基硅氧烷。
9.一種太赫茲偏振調控器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供襯底；
在所述襯底表面設置介電超結構前置物層；
在所述介電超結構前置物層表面設置光刻膠層；
對所述光刻膠層進行曝光、顯影和烘干，得到具有預設圖案的光刻膠層；
透過具有預設圖案的光刻膠層對所述介電超結構前置物層進行刻蝕，得到如權利要求1至8任一項所述的介電超結構；
清洗去除殘留的光刻膠層，得到所述太赫茲偏振調控器件。
10.如權利要求9所述的太赫茲偏振調控器件的制作方法，其特征在于，所述介電超結構前置物層通過鍵合技術設置在所述襯底表面。
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