[發明專利]發光器件顯示基板及其制造方法和顯示裝置有效
| 申請號: | 201811383790.0 | 申請日: | 2018-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN109585505B | 公開(公告)日: | 2021-03-30 |
| 發明(設計)人: | 劉冰洋;陳東川;錢學強;王丹;馬新利 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 汪源;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 器件 顯示 及其 制造 方法 顯示裝置 | ||
本發明提供一種發光器件顯示基板及其制造方法和顯示裝置。該發光器件顯示基板包括襯底基板和多個像素結構,每個所述像素結構包括由外至內依次設置于所述襯底基板之上的多個像素材料層。本發明提供的發光器件顯示基板的技術方案中,每個像素結構包括由外至內依次設置于襯底基板之上的多個像素材料層,本發明中的像素結構立于襯底基板上,減小了單個像素結構在襯底基板上的占位面積,極大地提高了單位面積中像素結構的數量,從而極大的提高了顯示裝置的分辨率。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別涉及一種發光器件顯示基板及其制造方法和顯示裝置。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,簡稱OLED)和量子發光二極管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,簡稱QLED)因具有自發光、高色域等優點,已成為顯示行業的重點發展方向。
同時,用戶一直以來追求清晰細膩的畫面,需要不斷提高分辨率(Pixels PerInch,簡稱PPI)來實現。通常,OLED/QLED顯示裝置設計為自襯底基板向上,一層層地“平鋪堆積”排列,每層結構均平行于襯底基板。
根據當前產品設計,OLED/QLED顯示裝置分辨率較低,難以滿足當前一些產品,例如增強現實(Augmented Reality,簡稱AR)顯示裝置或者虛擬現實(Virtual Reality,簡稱VR)顯示裝置的高PPI需求。
發明內容
本發明提供一種發光器件顯示基板及其制造方法和顯示裝置,用于提高顯示裝置的PPI。
為實現上述目的,本發明提供了一種發光器件顯示基板,包括襯底基板和多個像素結構,每個所述像素結構包括由外至內依次設置于所述襯底基板之上的多個像素材料層。
可選地,所述像素材料層為連續閉合結構。
可選地,每個所述像素材料層的沿所述襯底基板所在平面的截面的形狀為環形。
可選地,多個像素材料層包括第一電極層、電子注入層、電子傳輸層、發光層、空穴傳輸層、空穴注入層和第二電極層。
可選地,多個像素材料層還包括空穴阻擋層和電子阻擋層;
所述空穴阻擋層位于所述電子傳輸層和所述發光層之間;
所述電子阻擋層位于所述空穴傳輸層和所述發光層之間。
可選地,每個所述像素結構包括多個子像素;
多個所述子像素之間共用部分像素材料層,每個子像素均包括其余部分像素材料層。
可選地,每個所述像素結構包括多個子像素,每個子像素均包括全部像素材料層。
可選地,不同的子像素中的相同的像素材料層位于同一圓周上且相互不連接。
為實現上述目的,本發明提供了一種顯示裝置,包括:上述發光器件顯示基板。
為實現上述目的,本發明提供了一種發光器件顯示基板的制造方法,包括:
在襯底基板上形成多個像素結構,每個所述像素結構包括由外至內依次設置于所述襯底基板之上的多個像素材料層。
附圖說明
圖1為本發明實施例一提供的一種發光器件顯示基板的結構示意圖;
圖2為圖1中像素結構的俯視圖;
圖3a為實施例一中像素結構的一種示意圖;
圖3b為實施例一中像素結構的另一種示意圖;
圖3c為實施例一中像素結構的另一種示意圖;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司,未經京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811383790.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:顯示面板及其制作方法
- 下一篇:具有照明功能的OLED顯示設備
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





