[發(fā)明專利]一種白光發(fā)光二極管及其制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811383438.7 | 申請(qǐng)日: | 2018-11-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109390455A | 公開(公告)日: | 2019-02-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 姚述光;龍小鳳;萬垂銘;姜志榮;曾照明;肖國偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣東晶科電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/50 | 分類號(hào): | H01L33/50 |
| 代理公司: | 廣州新諾專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44100 | 代理人: | 羅毅萍;劉杉 |
| 地址: | 511458 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 白光發(fā)光二極管 藍(lán)光LED芯片 熒光轉(zhuǎn)換 熒光膠體 反光杯 藍(lán)光 粒子 半球體 粒子團(tuán) 白光 光色 制作 腔體底壁 填充 遞減 體內(nèi) 側(cè)面 | ||
1.一種白光發(fā)光二極管,其特征在于,包括:至少一個(gè)藍(lán)光LED芯片、反光杯和熒光膠體;其中,
所述至少一個(gè)藍(lán)光LED芯片固定于所述反光杯的腔體底壁,所述熒光膠體填充于所述反光杯的腔體內(nèi),所述熒光膠體包括熒光轉(zhuǎn)換粒子;
所述熒光轉(zhuǎn)換粒子在每個(gè)藍(lán)光LED芯片外形成有一熒光轉(zhuǎn)換粒子團(tuán)簇,每個(gè)所述熒光轉(zhuǎn)換粒子團(tuán)簇呈半球體或類半球體,且覆蓋所述反光杯腔體底壁的部分區(qū)域;
每個(gè)所述熒光轉(zhuǎn)換粒子團(tuán)簇中熒光轉(zhuǎn)換粒子的濃度沿第一方向遞減,以使對(duì)應(yīng)的藍(lán)光LED芯片發(fā)出的藍(lán)光經(jīng)所述熒光膠體后得到光色均勻的白光;所述第一方向?yàn)橛伤鰧?duì)應(yīng)的藍(lán)光LED芯片正面的中心到所述對(duì)應(yīng)的藍(lán)光LED芯片正面的邊緣的方向。
2.如權(quán)利要求1所述的白光發(fā)光二極管,其特征在于,所述熒光轉(zhuǎn)換粒子團(tuán)簇中熒光轉(zhuǎn)換粒子的濃度沿第二方向遞減,所述第二方向?yàn)橛伤鰧?duì)應(yīng)的藍(lán)光LED芯片的中心到所述熒光轉(zhuǎn)換粒子團(tuán)簇表面的徑向。
3.如權(quán)利要求1或2所述的白光發(fā)光二極管,其特征在于,所述熒光轉(zhuǎn)換粒子包括紅綠熒光粉或黃色熒光粉。
4.如權(quán)利要求1所述的白光發(fā)光二極管,其特征在于,所述反光杯包括金屬基材層、兩個(gè)金屬反光層和兩個(gè)塑膠反光塊;其中,
所述兩個(gè)金屬反光層層疊于所述金屬基材層上,所述兩個(gè)金屬反光層之間形成有缺口;
所述兩個(gè)塑膠反光塊分別設(shè)置于所述兩個(gè)金屬反光層上,且與所述兩個(gè)金屬反光層及所述金屬基材層形成一個(gè)碗杯狀腔體;
每個(gè)所述藍(lán)光LED芯片通過兩個(gè)電熱連接層分別與所述兩個(gè)金屬反光層連接。
5.如權(quán)利要求4所述的白光發(fā)光二極管,其特征在于,所述兩個(gè)金屬反光層的部分區(qū)域未被所述兩個(gè)塑膠反光塊的底面覆蓋,且未被所述熒光轉(zhuǎn)換粒子團(tuán)簇覆蓋。
6.一種白光發(fā)光二極管的制作方法,其特征在于,包括如下步驟:
在反光杯的腔體底壁固定設(shè)置至少一個(gè)藍(lán)光LED芯片;
在所述至少一個(gè)藍(lán)光LED芯片上涂覆熒光膠體,并使所述熒光膠體在每個(gè)藍(lán)光LED芯片上呈半球型;其中,所述熒光膠體內(nèi)具有熒光轉(zhuǎn)換粒子;
采用沉降工藝對(duì)所述熒光膠體進(jìn)行離心沉降處理,使得所述熒光轉(zhuǎn)換粒子在每個(gè)所述藍(lán)光LED芯片外形成一熒光轉(zhuǎn)換粒子團(tuán)簇;其中,每個(gè)所述熒光轉(zhuǎn)換粒子團(tuán)簇呈半球體或類半球體,且覆蓋所述反光杯腔體底壁的部分區(qū)域;所述熒光轉(zhuǎn)換粒子團(tuán)簇中熒光轉(zhuǎn)換粒子的濃度沿第一方向遞減,所述第一方向?yàn)橛蓪?duì)應(yīng)的藍(lán)光LED芯片正面的中心到所述對(duì)應(yīng)的藍(lán)光LED芯片正面的邊緣的方向;
對(duì)離心沉降處理后的熒光膠體進(jìn)行固化,得到白光發(fā)光二極管。
7.如權(quán)利要求6所述的白光發(fā)光二極管的制作方法,其特征在于,所述熒光轉(zhuǎn)換粒子團(tuán)簇中熒光轉(zhuǎn)換粒子的濃度沿第二方向遞減,所述第二方向?yàn)樗鰧?duì)應(yīng)的藍(lán)光LED芯片的中心到所述熒光轉(zhuǎn)換粒子團(tuán)簇表面的徑向。
8.如權(quán)利要求6所述的白光發(fā)光二極管的制作方法,其特征在于,所述熒光轉(zhuǎn)換粒子團(tuán)簇覆蓋所述反光杯腔體底壁的面積通過所述熒光膠體的粘度、觸變指數(shù)或所述沉降工藝中的離心力來控制;其中,
所述面積與所述熒光膠體的粘度具有負(fù)相關(guān)關(guān)系;
所述面積與所述熒光膠體的觸變指數(shù)具有正相關(guān)關(guān)系;
所述面積與所述沉降工藝中的離心力的大小具有正相關(guān)關(guān)系。
9.如權(quán)利要求8所述的白光發(fā)光二極管的制作方法,其特征在于,所述熒光膠體的粘度位于500mPa·s~20000mPa·s內(nèi);
或者,所述熒光膠體的觸變指數(shù)位于1.0~3.0內(nèi);
或者,所述沉降工藝中離心沉降的速率位于500rpm~10000rpm內(nèi)。
10.如權(quán)利要求1所述的白光發(fā)光二極管的制作方法,其特征在于,所述熒光膠體為硅膠、環(huán)氧樹脂和丙烯酸樹脂中的一種或多種組成。
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