[發明專利]一種多芯片封裝互聯結構及多芯片封裝互聯方法

在審

• 申請號: 201811382054.3
• 申請日: 2018-11-20
• 公開（公告）號: CN109326580A
• 公開（公告）日: 2019-02-12
• 發明（設計）人: 范亞明;朱璞成
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所南昌研究院
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L21/768
• 代理公司: 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 王茹;王鋒

本發明公開了一種多芯片封裝互聯結構，包括：層疊設置的第一基板和第二基板；所述第一基板上設有若干第一腔體，第一腔體內設有若干第一芯片，第一基板的上表面設有第一焊盤，第一焊盤與第一芯片電氣連接；所述第二基板上設有若干第二腔體，第二腔體內設有若干第二芯片，第二基板的上表面設有第二焊盤，第二焊盤與第二芯片電氣連接；所述第一焊盤與第二焊盤之間通過貫穿第二基板的導電介質電氣連接。本發明的多芯片封裝互聯結構，采用直接焊接的方式，實現基板的垂直互聯，多芯片封裝集成度高，可靠性好，工藝簡單，成本低。對微波射頻信號插入損耗不超過0.5dB，可解決基板高密度垂直互聯的問題，廣泛應用于射頻微波電路的多芯片封裝系統中。

技術領域

本發明涉及電子技術領域，尤其是涉及一種多芯片封裝互聯結構及多芯片封裝互聯方法。

背景技術

隨著通信技術、超大規模集成電路技術、新型電子材料技術和封裝互聯技術的快速發展，現代軍用和民用電子裝備正在向小型化、輕量化、高可靠、多功能和低成本方向發展。系統級三維封裝技術在單一封裝內，可包含數字、模擬、射頻等多種功能，極大地減小了系統所占的體積和重量。

三維系統級封裝的關鍵技術在于怎樣實現上下各層平面電路的垂直互聯。垂直互聯是指系統級封裝中各信號層、電源層、接地層之間的相互聯接。通過垂直互聯，可以大大減小系統體積，提高電氣性能。因此，三維垂直互聯技術是實現整個系統級封裝的關鍵技術之一。特別是在微波及射頻領域，研究垂直互聯結構的優化，對于提升三維系統級封裝的整體性能具有重要意義。

目前實現三維垂直互聯的主要方式有BGA焊球互聯。采用BGA焊球互聯具有一致性好、集成密度高、互聯長度短等優勢，但其工藝制作過程非常復雜，導致產品成本較高，且可靠性也難以得到有效驗證。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種多芯片封裝互聯結構及多芯片封裝互聯方法，以克服現有技術中的不足。為實現前述發明目的，本發明采用的技術方案包括：

本發明實施例提供了一種多芯片封裝互聯結構，包括：

層疊設置的第一基板和第二基板；

所述第一基板上設有若干第一腔體，第一腔體內設有若干第一芯片，第一基板的上表面設有第一焊盤，第一焊盤與第一芯片電氣連接；

所述第二基板上設有若干第二腔體，第二腔體內設有若干第二芯片，第二基板的上表面設有第二焊盤，第二焊盤與第二芯片電氣連接；

所述第一焊盤與第二焊盤之間通過貫穿第二基板的導電介質電氣連接。

本發明實施例還提供一種多芯片封裝互聯方法，包括：

S1、提供第一基板，于所述第一基板上形成若干第一腔體，于所述第一腔體內安裝第一芯片，并于所述第一基板的上表面設置第一焊盤，使第一焊盤與第一芯片電氣連接；

S2、提供第二基板，于所述第二基板上形成若干第二腔體，在第二基板內貫穿形成導電介質，將第二基板層疊設置于第一基板上，并在第二基板的上表面設置第二焊盤，在第二腔體內安裝第二芯片，使第二焊盤與第二芯片電氣連接，并使第一焊盤與第二焊盤之間通過所述導電介質電氣連接。

與現有技術相比，本發明的有益效果包括：

本發明實施例提供的多芯片封裝互聯結構，采用直接焊接的方式，實現基板的垂直互聯，且多芯片封裝集成度高，可靠性較好，工藝也相對簡單，大幅度降低了系統封裝成本，簡化了芯片封裝結構的工藝復雜度。

通過制作互聯通孔來實現基板間的電氣連接以及芯片的互聯，可以對微波射頻信號插入損耗減小到不超過0.5dB，具備良好的傳輸性能，并且封裝工藝簡單，成本低廉，可以解決基板高密度垂直互聯的問題，可以廣泛應用于射頻微波電路的多芯片封裝系統中。

附圖說明