[發明專利]集成電路封裝件及其形成方法

有效

• 申請號: 201811382026.1
• 申請日: 2018-11-20
• 公開（公告）號: CN110504247B
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: 陳憲偉;陳明發;余振華
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L23/498;H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種集成電路封裝件的形成方法，包括：

形成第一管芯結構，所述第一管芯結構包括接合至載體的管芯堆疊件，其中，形成所述第一管芯結構包括：

將第一集成電路管芯的前側接合至載體；

將第一偽管芯接合至與所述第一集成電路管芯相鄰的所述載體；

將所述第一集成電路管芯和所述第一偽管芯密封在第一密封劑中；

將第二集成電路管芯的前側接合至所述第一集成電路管芯的背側，所述第一集成電路管芯的背側與所述第一集成電路管芯的前側相對；

將第二偽管芯接合至所述第一偽管芯；和

將所述第二集成電路管芯和所述第二偽管芯密封在第二密封劑中；

形成第二管芯結構，所述第二管芯結構包括第三集成電路管芯；以及

通過將所述管芯堆疊件的最頂部集成電路管芯的背側接合至所述第三集成電路管芯的背側來將所述第一管芯結構接合至所述第二管芯結構，所述管芯堆疊件的最頂部集成電路管芯是所述管芯堆疊件中距所述載體最遠的集成電路管芯。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，使用熔融接合方法將所述第一集成電路管芯的前側接合至所述載體。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，使用混合接合方法將所述第二集成電路管芯的前側接合至所述第一集成電路管芯的背側。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，使用混合接合方法將所述管芯堆疊件的最頂部集成電路管芯的背側接合至所述第三集成電路管芯的背側。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一偽管芯和所述第二偽管芯形成散熱結構。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，使用熔融接合方法將所述第二偽管芯接合至所述第一偽管芯。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述管芯堆疊件的最頂部集成電路管芯的背側處的接合焊盤與所述第三集成電路管芯的背側處的接合焊盤物理接觸。

8.一種集成電路封裝件的形成方法，包括：

形成第一管芯結構，所述第一管芯結構包括接合至載體的管芯堆疊件，其中，形成所述第一管芯結構包括：

將第一集成電路管芯的前側接合至所述載體；

將所述第一集成電路管芯密封在第一密封劑中；

將第二集成電路管芯的前側接合至所述第一集成電路管芯的背側，所述第一集成電路管芯的背側與所述第一集成電路管芯的前側相對；和

將所述第二集成電路管芯密封在第二密封劑中；

形成第二管芯結構，所述第二管芯結構包括第三集成電路管芯；以及

通過將所述管芯堆疊件的最頂部集成電路管芯的背側接合至所述第三集成電路管芯的背側，將所述第一管芯結構接合至所述第二管芯結構，所述管芯堆疊件的最頂部集成電路管芯是所述管芯堆疊件中距所述載體最遠的集成電路管芯；

將第一偽管芯接合至與所述第一管芯結構相鄰的所述第二管芯結構；以及

將所述第一管芯結構和所述第一偽管芯密封在第三密封劑中。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，使用混合接合方法將所述管芯堆疊件的最頂部集成電路管芯的背側接合至所述第三集成電路管芯的背側。

10.根據權利要求8所述的方法，其中，使用熔融接合方法將所述第一偽管芯接合至所述第二管芯結構。

11.根據權利要求8所述的方法，其中，形成所述第二管芯結構包括將所述第三集成電路管芯密封在第四密封劑中。

12.根據權利要求8所述的方法，還包括：在所述第三集成電路管芯的前側上形成連接件，所述第三集成電路管芯的前側與所述第三集成電路管芯的背側相對。

13.根據權利要求8所述的方法，其中，所述第一偽管芯配置為散熱結構。