[發(fā)明專利]一種選擇性濕法處理晶圓邊緣的方法及半導(dǎo)體裝置

有效

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• 申請日: 2018-11-20
• 公開（公告）號: CN109378268B
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姚大平
• 申請（專利權(quán)）人: 華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 上海智晟知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31313
• 代理人: 張東梅

1.一種選擇性濕法處理襯底晶圓邊緣的方法，包括：

將待處理晶圓背面放置在濕法選擇性處理晶圓邊緣的半導(dǎo)體裝置的下部密封圈上，通過處理腔體Z軸移動，使上部密封圈接觸晶圓的正面，由此僅所述晶圓的邊緣密封在所述半導(dǎo)體裝置的處理腔室內(nèi)，其中，濕法選擇性處理晶圓邊緣的半導(dǎo)體裝置包括上部外罩，所述上部外罩包括上部外罩內(nèi)壁、頂部外殼和上部外罩外壁，所述頂部外殼覆蓋上部外罩內(nèi)壁和上部外罩外壁的頂端從而形成上部腔體，上部外罩內(nèi)壁的底端設(shè)置有上部密封圈；下部外罩，所述下部外罩包括下部外罩內(nèi)壁、下部外殼和下部外罩外壁，所述下部外殼連接下部外罩內(nèi)壁和下部外罩外壁的底端從而形成下部腔體，下部外罩內(nèi)壁的頂端設(shè)置有下部密封圈；

向處理腔室加入殘膠處理溶液，僅對所述待處理晶圓的邊緣部分進(jìn)行濕法處理；

預(yù)定處理時間后，排出處理腔體內(nèi)用過的處理液；

再向處理腔內(nèi)放入純水沖洗所述晶圓；以及

關(guān)閉純水輸送閥門，并用惰性氣體吹掉表面的純水、干燥晶圓。

2.如權(quán)利要求1所述的選擇性濕法處理襯底晶圓邊緣的方法，其特征在于，向處理腔室加入殘膠處理溶液，包括使處理溶液與惰性氣體混合成二流體進(jìn)入處理腔室。

3.如權(quán)利要求2所述的選擇性濕法處理襯底晶圓邊緣的方法，其特征在于，當(dāng)晶圓邊緣全部浸沒在液體后，可關(guān)閉處理液的閥門而實(shí)現(xiàn)去膠溶液浸泡處理。

4.如權(quán)利要求1所述的選擇性濕法處理襯底晶圓邊緣的方法，其特征在于，在將去膠處理溶液加入到腔室之前對處理液進(jìn)行加熱到工藝要求的溫度。

5.如權(quán)利要求1所述的選擇性濕法處理襯底晶圓邊緣的方法，其特征在于，處理溶液是有機(jī)溶液、無機(jī)堿性溶液、或者其他去光阻膜溶液。

6.如權(quán)利要求1所述的選擇性濕法處理襯底晶圓邊緣的方法，其特征在于，利用純水處理所述晶圓包括打開純水閥門，并調(diào)節(jié)惰性氣體的流速，使純水變速流動在晶圓表面進(jìn)行脈沖處理。

7.如權(quán)利要求1所述的選擇性濕法處理襯底晶圓邊緣的方法，其特征在于，所述待處理晶圓經(jīng)歷過晶圓級封裝去膠工藝制程，在其邊緣殘留旋涂光阻膜或干膜，所述濕法處理晶圓邊緣的方法選擇性去除邊緣殘留的旋涂光阻膜或干膜，而不對所述待處理晶圓的中心部分進(jìn)行濕法處理。

8.一種用于濕法選擇性處理晶圓邊緣的半導(dǎo)體裝置，包括：

上部外罩，所述上部外罩包括上部外罩內(nèi)壁、頂部外殼和上部外罩外壁，所述頂部外殼覆蓋上部外罩內(nèi)壁和上部外罩外壁的頂端從而形成上部腔體，上部外罩內(nèi)壁的底端設(shè)置有上部密封圈；

下部外罩，所述下部外罩包括下部外罩內(nèi)壁、下部外殼和下部外罩外壁，所述下部外殼連接下部外罩內(nèi)壁和下部外罩外壁的底端從而形成下部腔體，下部外罩內(nèi)壁的頂端設(shè)置有下部密封圈；以及

流體管道，所述流體管道通過所述下部外罩外壁引入腔體，

其中所述上部外罩能夠上下移動，當(dāng)所述上部外罩往上移動時，接受待處理晶圓，將所述待處理晶圓放置在所述下部外罩內(nèi)壁頂端的下部密封圈上，然后所述上部外罩向下移動并覆蓋在下部外罩之上，所述上部密封圈和下部密封圈分別接觸晶圓的上下兩個表面，并形成密封，由此所述上部腔體與下部腔體合并構(gòu)成濕法處理腔體，并且僅晶圓的邊緣密封在所述半導(dǎo)體裝置的處理腔室內(nèi)。

9.如權(quán)利要求8所述的用于濕法選擇性處理晶圓邊緣的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述流體管道在上部腔體內(nèi)的末端處設(shè)置有一個或多個噴嘴。