[發明專利]一種MSM光電探測器的制備方法

有效

• 申請號: 201811381512.1
• 申請日: 2018-11-20
• 公開（公告）號: CN109273561B
• 公開（公告）日: 2020-04-10
• 發明（設計）人: 茍君;牛青辰;于賀;王軍;蔣亞東
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/108
• 代理公司: 成都弘毅天承知識產權代理有限公司 51230
• 代理人: 何祖斌

1.一種MSM光電探測器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)在SOI基片上制備半導體薄膜(20)；其中，SOI基片包括從下到上依次電鍍形成的硅基片層(10)、二氧化硅層(11)和硅薄膜層(12)，所述半導體薄膜(20)黏附于所述硅薄膜層(12)上表面上；

(2)在所述半導體薄膜(20)上電鍍并圖形化形成若干叉指電極(30)；

(3)采用腐蝕法去除二氧化硅層(11)，使得硅基片層(10)和二氧化硅層(11)從硅薄膜層(12)上脫落；

(4)在所述半導體薄膜(20)上沿其縱向方向刻蝕若干周期孔且形成周期性光陷阱結構(40)，每一個周期孔向硅薄膜層(12)延伸且伸入硅薄膜層(12)內，每一個周期孔不貫穿硅薄膜層(12)，周期孔的周期為0.5-13μm。

2.根據權利要求1所述的一種MSM光電探測器的制備方法，其特征在于，步驟(1)中所述半導體薄膜(20)由硅、鍺、硫化鉛、硒化鉛、銦鎵砷以及碲鎘汞中的一種制成。

3.根據權利要求2所述的一種MSM光電探測器的制備方法，其特征在于，所述半導體薄膜(20)的厚度為0.5～5μm。

4.根據權利要求1所述的一種MSM光電探測器的制備方法，其特征在于，步驟(2)中每一個所述叉指電極(30)由金、鉍、鈦或鋁中的任意一種或至少兩種的合金制成。

5.根據權利要求4所述的一種MSM光電探測器的制備方法，其特征在于，每一個所述叉指電極(30)的厚度為20～200nm，電極線條寬度0.3～3μm，任意相鄰所述叉指電極(30)之間的距離為0.1～1μm。

6.根據權利要求1-5任一項所述的一種MSM光電探測器的制備方法，其特征在于，步驟(3)中所述腐蝕法采用緩沖氫氟酸溶液作為腐蝕液，緩沖氫氟酸溶液中氫氟酸與氟化氨的濃度比為1:3～1:10。

7.根據權利要求6所述的一種MSM光電探測器的制備方法，其特征在于，所述周期孔為正方形孔或圓形孔，所述周期孔按四方或六方點陣排列，周期孔的邊長或直徑與周期的比為0.4～0.9。

8.根據權利要求1所述的一種MSM光電探測器的制備方法，其特征在于，所述半導體薄膜(20)采用分子束外延方法或金屬有機化學氣相沉積方法制備。

9.根據權利要求1-8任一項所述制備方法制備的MSM光電探測器。