[發(fā)明專利]高性能低殘壓特高壓避雷器的實(shí)現(xiàn)方式在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811380886.1 | 申請(qǐng)日： | 2018-11-20 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN109637763A | 公開（公告）日： | 2019-04-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 何金良;孟鵬飛;胡軍;谷山強(qiáng);萬帥;譚進(jìn);許衡;徐華;邵先軍;周志成 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 清華大學(xué);國網(wǎng)電力科學(xué)研究院武漢南瑞有限責(zé)任公司;國網(wǎng)浙江省電力有限公司;國網(wǎng)江蘇省電力有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01C7/12 | 分類號(hào)： | H01C7/12;H01C17/00 |
| 代理公司： | 天津市尚儀知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 12217 | 代理人： | 薛陽 |
| 地址： | 100084*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶粒 殘壓 特高壓避雷器 表面態(tài)密度 尺寸均勻性 壓敏電阻 避雷器 電阻率 晶界 高電壓梯度 參考電壓 電位分布 閥片 | ||
1.一種高性能低殘壓特高壓避雷器的實(shí)現(xiàn)途徑,包括降低施主密度、提高晶界表面態(tài)密度、降低晶粒電阻率、降低晶粒尺寸、提高晶粒尺寸均勻性，其特征在于，所述降低晶粒電阻率的措施是通過降低殘壓梯度來降低ZnO壓敏電阻殘壓比，所述降低施主密度、提高晶界表面態(tài)密度、降低晶粒尺寸、提高晶粒尺寸均勻性均是通過提高參考電壓梯度來降低ZnO壓敏電阻的殘壓比。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的高性能低殘壓特高壓避雷器的實(shí)現(xiàn)方式，其特征在于，所述降低晶粒電阻率的措施作為研制低殘壓ZnO壓敏電阻的基本途徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的高性能低殘壓特高壓避雷器的實(shí)現(xiàn)方式，其特征在于，降低晶粒電阻率作為研究低殘壓ZnO壓敏電阻的主要實(shí)現(xiàn)途徑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的高性能低殘壓特高壓避雷器的實(shí)現(xiàn)方式，其特征在于，減小晶粒尺寸、提高晶粒尺寸均勻度作為研制低殘壓ZnO壓敏電阻、提高其綜合性能的輔助實(shí)現(xiàn)途徑。
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