[發(fā)明專利]掩膜組件及套準(zhǔn)量測(cè)方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811379700.0
• 申請(qǐng)日: 2018-11-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111198478A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G03F1/42
• 分類號(hào): G03F1/42;G03F1/44
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

本發(fā)明提供一種掩膜組件及套準(zhǔn)量測(cè)方法，掩膜組件包括：第一掩膜、第二掩膜及第三掩膜，第一掩膜內(nèi)形成有第一標(biāo)記圖形，第一標(biāo)記圖形包括第一主標(biāo)記圖形及第二主標(biāo)記圖形；第二掩膜內(nèi)形成有第二標(biāo)記圖形，第二標(biāo)記圖形對(duì)應(yīng)于第一標(biāo)記圖形的一側(cè)，且與第一標(biāo)記圖形具有間距；第二標(biāo)記圖形包括第三主標(biāo)記圖形及第四主標(biāo)記圖形；第三掩膜內(nèi)形成有第三標(biāo)記圖形，第三標(biāo)記圖形包括第五主標(biāo)記圖形、第六主標(biāo)記圖形、第七主標(biāo)記圖形及第八主標(biāo)記圖形。本發(fā)明的掩膜組件中的標(biāo)記圖形可以減小標(biāo)記圖形在晶圓上所占的面積；同時(shí)在光刻后進(jìn)行套準(zhǔn)量測(cè)時(shí)還可以顯著降低所需量測(cè)的次數(shù)，提高套準(zhǔn)量測(cè)的效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種掩膜組件及套準(zhǔn)量測(cè)方法。

背景技術(shù)

在現(xiàn)有的半導(dǎo)體工藝中，在進(jìn)行多層光刻工藝時(shí)，需要將各層之間進(jìn)行套準(zhǔn)量測(cè)以確定層與層之間是否對(duì)準(zhǔn)。最常用的方法為通過(guò)在各層中形成用于對(duì)準(zhǔn)的圖形標(biāo)記，通過(guò)對(duì)圖形標(biāo)記的量測(cè)來(lái)判斷層與層之間是否有偏移。此外，用于對(duì)準(zhǔn)的圖形標(biāo)記中一般需要有用于檢測(cè)第一方向是否有偏移的第一主圖形標(biāo)記以及用于檢測(cè)第二方向是否有偏移的第二主圖形標(biāo)記。然而，現(xiàn)有用于對(duì)準(zhǔn)的圖形標(biāo)記中，第一主圖形標(biāo)記及第二主圖形標(biāo)記的數(shù)量一般均至少為兩個(gè)，這就使得現(xiàn)有的圖形標(biāo)記的尺寸比較大，會(huì)占用晶圓較大的區(qū)域；同時(shí)，在進(jìn)行套準(zhǔn)量測(cè)時(shí)還存在量測(cè)次數(shù)較多，工作量較大，套準(zhǔn)量測(cè)效率低等問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種掩膜組件及套準(zhǔn)量測(cè)方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中用于對(duì)準(zhǔn)的圖形標(biāo)記存在的尺寸較大，占用較大的晶圓區(qū)域的問(wèn)題，以及套準(zhǔn)量測(cè)時(shí)量測(cè)次數(shù)較多，工作量較大，套準(zhǔn)量測(cè)效率低的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種掩膜組件，所述掩膜組件包括：第一掩膜、第二掩膜及第三掩膜，其中，

所述第一掩膜內(nèi)形成有第一標(biāo)記圖形，所述第一標(biāo)記圖形包括第一主標(biāo)記圖形及第二主標(biāo)記圖形，所述第一主標(biāo)記圖形與所述第二主標(biāo)記圖形之間具有間距；其中，所述第一主標(biāo)記圖形包括若干個(gè)沿第一方向平行間隔排布的第一子標(biāo)記圖形，所述第一子標(biāo)記圖形沿第二方向延伸；所述第二主標(biāo)記圖形包括若干個(gè)沿第二方向平行間隔排布的第二子標(biāo)記圖形，所述第二子標(biāo)記圖形沿第一方向延伸，所述第一方向與所述第二方向相垂直；

所述第二掩膜內(nèi)形成有第二標(biāo)記圖形，所述第二標(biāo)記圖形對(duì)應(yīng)于所述第一標(biāo)記圖形的一側(cè)，且與所述第一標(biāo)記圖形具有間距；所述第二標(biāo)記圖形包括第三主標(biāo)記圖形及第四主標(biāo)記圖形，所述第三主標(biāo)記圖形與所述第四主標(biāo)記圖形之間具有間距；其中，所述第三主標(biāo)記圖形包括若干個(gè)沿所述第二方向平行間隔排布的第三子標(biāo)記圖形，所述第三子標(biāo)記圖形沿所述第一方向延伸；所述第四主標(biāo)記圖形包括若干個(gè)沿所述第一方向平行間隔排布的第四子標(biāo)記圖形，所述第四子標(biāo)記圖形沿所述第二方向延伸；及

所述第三掩膜內(nèi)形成有第三標(biāo)記圖形，所述第三標(biāo)記圖形包括第五主標(biāo)記圖形、第六主標(biāo)記圖形、第七主標(biāo)記圖形及第八主標(biāo)記圖形；其中，所述第五主標(biāo)記圖形對(duì)應(yīng)于所述第一主標(biāo)記圖形與所述第三主標(biāo)記圖形之間，所述第五主標(biāo)記圖形包括若干個(gè)沿所述第一方向平行間隔排布的第五子標(biāo)記圖形，所述第五子標(biāo)記圖形沿所述第二方向延伸；所述第六主標(biāo)記圖形對(duì)應(yīng)于所述第三主標(biāo)記圖形與所述第四主標(biāo)記圖形之間，所述第六主標(biāo)記圖形包括若干個(gè)沿所述第二方向平行間隔排布的第六子標(biāo)記圖形，所述第六子標(biāo)記圖形沿所述第一方向延伸；所述第七主標(biāo)記圖形對(duì)應(yīng)于所述第一主標(biāo)記圖形與所述第二主標(biāo)記圖形之間，所述第七主標(biāo)記圖形包括若干個(gè)沿所述第二方向平行間隔排布的第七子標(biāo)記圖形，所述第七子標(biāo)記圖形沿所述第一方向延伸；所述第八主標(biāo)記圖形對(duì)應(yīng)于所述第二主標(biāo)記圖形與所述第四主標(biāo)記圖形之間，所述第八主標(biāo)記圖形包括若干個(gè)沿所述第一方向平行間隔排布的第八子標(biāo)記圖形，所述第八子標(biāo)記圖形沿所述第二方向延伸。