[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811379697.2
• 申請日: 2018-11-20
• 公開（公告）號: CN111199881B
• 公開（公告）日: 2022-03-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括步驟：

提供器件結(jié)構(gòu)，所述器件結(jié)構(gòu)形成有接觸溝槽，所述接觸溝槽的底部顯露所述器件結(jié)構(gòu)的接觸表面，于所述接觸溝槽的側(cè)壁及底部沉積側(cè)墻材料；

刻蝕所述側(cè)墻材料，以在所述接觸溝槽的側(cè)壁形成側(cè)墻結(jié)構(gòu)，所述接觸溝槽底部顯露的所述接觸表面殘留有所述側(cè)墻材料；

采用干法刻蝕去除所述接觸表面殘留的所述側(cè)墻材料，其中，所述干法刻蝕氣體包括氧氣、四氟化碳和氮?dú)猓龈煞涛g同時(shí)去除所述接觸表面產(chǎn)生的自然氧化層以及所述接觸表面受損而形成的多晶體；所述氮?dú)獾臍怏w體積占所述氧氣和所述四氟化碳的氣體體積之和的比例介于8％～12％之間；

于所述接觸溝槽內(nèi)填充導(dǎo)電材料層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述干法刻蝕氣體中所述氧氣與所述四氟化碳的體積比介于80:1～120:1之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述四氟化碳的氣體流量介于30～50SCCM之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述干法刻蝕過程中所述器件結(jié)構(gòu)與等離子源的垂直距離介于40～60cm之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述干法刻蝕過程中溫度介于80～100℃之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述干法刻蝕過程中壓強(qiáng)介于600～800Pa之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述干法刻蝕過程中射頻功率介于3000～4000W之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述干法刻蝕開始前還包括穩(wěn)定溫度、壓力、能量、氧氣的氣體流量的步驟，所述穩(wěn)定的時(shí)間介于10～20S之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述干法刻蝕后通入氮?dú)獠堄鄽怏w抽出，所述氮?dú)獾臍怏w流量介于8000～10000SCCM之間。