[發明專利]電壓控制方法、器件，供電電路及電路系統與應用

在審

• 申請號: 201811377996.2
• 申請日: 2018-11-19
• 公開（公告）號: CN109617402A
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發明（設計）人: 張少鋒;王曉芹;周仲建;鐘川
• 申請（專利權）人: 成都方舟微電子有限公司
• 主分類號: H02M3/156
• 分類號: H02M3/156;H02M1/32
• 代理公司: 北京市浩天知識產權代理事務所(普通合伙) 11276
• 代理人: 劉云貴

1.限制輸出電壓的方法，將N溝道耗盡型MOSFET 接入電路，其特征在于，所述耗盡型MOSFET的源極S電位高于柵極G的電位，在源極S和柵極G之間接入負載。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述耗盡型MOSFET的閾值電壓構成限壓的上限。

3.保證輸出電壓穩定的方法，將N溝道耗盡型MOSFET 接入電路，其特征在于，所述耗盡型MOSFET的源極S電位高于柵極G的電位，并進入亞閾狀態，在源極S和柵極G之間接入負載，為負載加載穩定電壓。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，運用所述耗盡型MOSFET的亞閾狀態實現穩壓。

5.耗盡型MOSFET的應用，利用耗盡型MOSFET亞閾狀態特性通過源極S和柵極G輸出穩定電壓。

6.耗盡型MOSFET的應用，利用耗盡型MOSFET的閾值電壓對源極S和柵極G輸出的電壓進行鉗位。

7.保證輸出電壓穩定的器件，其特征在于，包括N溝道耗盡型MOSFET核，所述耗盡型MOSFET核包括漏極D、柵極G、源極S；所述漏極D構成器件上用于與高電位端連接的第一供電引腳a，柵極G構成器件上用于與低電位端及負載第二端進行連接的第二供電引腳b，所述源極S構成器件上用于與負載第一端連接的負載引腳c。

8.如權利要求7所述的器件，其特征在于，所述耗盡型MOSFET核為N溝道耗盡型MOSFET核，所述供電第一端為高電位端，所述供電第二端為低電位端，所述負載引腳c電位高于所述第二供電引腳b的電位。

9.如權利要求7或8所述的器件，其特征在于，所述耗盡型MOSFET核工作于亞閾狀態。

10.如權利要求9所述的器件，其特征在于，所述負載的工作電壓絕對值小于并接近所述耗盡型MOSFET的閾值電壓絕對值。

11.限制電壓的器件，其特征在于，包括耗盡型MOSFET核，所述MOSFET核包括漏極D、柵極G、源極S；所述漏極D構成器件上用于與供電第一端連接的第一供電引腳a，柵極G構成器件上用于與供電第二端及負載第二端進行連接的第二供電引腳b，所述源極S構成器件上用于與負載連接的負載引腳c。

12.如權利要求14所述的器件，其特征在于，所述負載的工作電壓絕對值最低工作電壓≤閾值電壓絕對值 ≤負載的限制電壓絕對值，或，閾值電壓絕對值 =負載的限制電壓絕對值。

13.如權利要求7-12任一項所述器件的生產方法，運用高閾值電壓耗盡型MOSFET芯片的基本生產工藝生產耗盡型MOSFET核，封裝時，按權利要求7-12任一項定義引腳。

14.供電電路，包括來自供電側的供電第一端、供電第二端，其特征在于，進一步包括如權利要求7-12任一項所述的器件；所述器件的第一供電引腳a連接到供電第一端、第二供電引腳b連接到供電第二端并與負載第二端連接；負載引腳c用于直接連接負載第一端，并向所述負載提供相對于第二供電引腳b的正向電壓。

15.供電電路，包括來自供電側的高電位端、低電位端，其特征在于，進一步包括如權利要求7-12任一項所述的器件；所述器件的第一供電引腳a連接到高電位端、第二供電引腳b連接到低電位端并與負載第二端連接；對負載提供高電位的負載引腳c用于直接連接負載第一端，并向所述負載提供相對于第二供電引腳b的正向電壓。

16.電路系統，包括供電區和與所述供電區連接的負載區，所述供電區包括至少一供電電路，所述負載區包括負載，其特征在于，所述供電電路為權利要求15所述的供電電路；所述負載通過所述供電電路獲得穩定的工作電壓和工作電流。