[發(fā)明專利]帶熱回收的多噴嘴氣化爐在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811377855.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-11-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109370655A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-02-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李位位;畢大鵬;張建勝;袁蘋 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 清華大學(xué)山西清潔能源研究院 |
| 主分類號(hào): | C10J3/48 | 分類號(hào): | C10J3/48;C10J3/86;F28D21/00 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 趙天月 |
| 地址: | 030032*** | 國(guó)省代碼: | 山西;14 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 廢鍋 水冷屏 出渣口 水冷壁 殼體 輻射 排渣池 氣化室 長(zhǎng)水 冷屏 多噴嘴氣化爐 熱回收 側(cè)壁 氣渣 燒嘴 收縮 粗合成氣出口 方向延伸 通道中心 周向分布 出氣 氣化爐 渣通道 頂壁 給氧 內(nèi)液 體內(nèi) 延伸 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了帶熱回收的多噴嘴氣化爐,包括:殼體,殼體內(nèi)形成氣化室,殼體的底部收縮形成氣化室出渣口;頂部燒嘴,其設(shè)在殼體的頂壁上;二次給氧燒嘴,其設(shè)在殼體的側(cè)壁上;輻射廢鍋,其設(shè)在氣化爐的下方且與氣化室出渣口相連,輻射廢鍋的底部收縮成廢鍋出渣口,輻射廢鍋包括:水冷壁,水冷壁設(shè)在輻射廢鍋內(nèi)且水冷壁限定出氣渣通道;水冷屏組,水冷屏組包括多個(gè)長(zhǎng)水冷屏和多個(gè)短水冷屏,多個(gè)長(zhǎng)水冷屏和多個(gè)短水冷屏設(shè)在氣渣通道內(nèi)且沿周向分布,每個(gè)長(zhǎng)水冷屏和每個(gè)短水冷屏均由水冷壁向氣渣通道中心軸方向延伸;排渣池,其與輻射廢鍋的底部相連,廢鍋出渣口延伸到排渣池內(nèi)液面以下,排渣池的側(cè)壁具有粗合成氣出口。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于氣化爐領(lǐng)域,具體而言,本發(fā)明涉及帶熱回收的多噴嘴氣化爐。
背景技術(shù)
氣化反應(yīng)往往在高溫高壓條件下進(jìn)行,因此氣化爐壁面往往需要采用耐火材料來(lái)確保爐體安全。氣化爐內(nèi)的火焰分布主要與氧分布有關(guān),當(dāng)采取頂部多噴嘴或單噴嘴進(jìn)料時(shí),由于頂部氧化劑充足,往往導(dǎo)致頂部區(qū)域火焰溫度較高,從而導(dǎo)致頂部燒嘴及壁面局部區(qū)域耐火材料壽命偏短,在生產(chǎn)期間常常需要停車進(jìn)行檢修,造成人力和財(cái)力的浪費(fèi)。
帶有輻射廢鍋的氣化爐能消化高硫、高灰、高灰熔點(diǎn)煤,實(shí)現(xiàn)了原料煤本地化,解決山西“三高”煤的氣化難題,也為全國(guó)“三高”煤綜合利用、氣化提供了新方法、新手段;對(duì)山西省改造傳統(tǒng)煤化工和發(fā)展煤制天然氣、煤制油、煤制烯烴、煤制乙二醇等新型煤化工產(chǎn)業(yè)具有重要意義。而通過(guò)在氣化爐內(nèi)部設(shè)置輻射廢鍋裝置,在設(shè)備運(yùn)行過(guò)程中,通過(guò)回收高溫高壓合成氣熱量、副產(chǎn)高溫高壓蒸汽等方式,節(jié)約燃料消耗,提高能源轉(zhuǎn)換效率,從而降低了設(shè)備整體的運(yùn)行成本。然而現(xiàn)有的輻射廢鍋裝置存在換熱面積低以及易發(fā)生通道堵塞等問(wèn)題,因此需要進(jìn)一步改進(jìn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問(wèn)題之一。為此,本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出一種帶熱回收的多噴嘴氣化爐,采用該氣化爐可以顯著提高煤漿的氣化效率,同時(shí)可以在提高輻射廢鍋內(nèi)換熱面積的同時(shí)避免通道堵塞,并且得到初步凈化的合成氣。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,本發(fā)明提出了一種帶熱回收的多噴嘴氣化爐。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,該氣化爐包括:
殼體,所述殼體內(nèi)形成氣化室,所述殼體的內(nèi)壁上設(shè)置有耐火層,所述耐火層材料為耐火磚或水冷壁,所述殼體的底部收縮形成氣化室出渣口;
頂部燒嘴,所述頂部燒嘴設(shè)置在所述殼體的頂壁上且適于向所述氣化室噴射煤漿、氧氣和蒸汽或者水煤漿、氧氣;
二次氧燒嘴,所述二次氧燒嘴設(shè)置在所述殼體的側(cè)壁上且適于向所述氣化室噴射氧氣;
輻射廢鍋,所述輻射廢鍋設(shè)在所述氣化室的下方且與所述氣化室出渣口相連,所述輻射廢鍋的底部收縮形成廢鍋出渣口,所述輻射廢鍋包括:
水冷壁,所述水冷壁設(shè)在所述輻射廢鍋內(nèi)且所述水冷壁限定出氣渣通道;
水冷屏組,所述水冷屏組包括多個(gè)長(zhǎng)水冷屏和多個(gè)短水冷屏,所述多個(gè)長(zhǎng)水冷屏和所述多個(gè)短水冷屏設(shè)在所述氣渣通道內(nèi)且沿周向分布,每個(gè)所述長(zhǎng)水冷屏和每個(gè)所述短水冷屏均由所述水冷壁向所述氣渣通道中心軸方向延伸;
其中,所述水冷壁的下集箱和每個(gè)所述長(zhǎng)水冷屏的下集箱、每個(gè)所述短水冷屏的下集箱相連并與穿過(guò)所述輻射廢鍋下部的冷卻水進(jìn)水管相連通;
所述水冷壁的上集箱和每個(gè)所述長(zhǎng)水冷屏的上集箱、每個(gè)所述短水冷屏的上集箱相連并與穿過(guò)所述輻射廢鍋上部的冷卻水出水管相連通;
排渣池,所述排渣池與所述輻射廢鍋的底部相連,所述廢鍋出渣口延伸到所述排渣池內(nèi)液面以下,所述排渣池的側(cè)壁具有粗合成氣出口,底部具有排渣口。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于清華大學(xué)山西清潔能源研究院,未經(jīng)清華大學(xué)山西清潔能源研究院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811377855.0/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類





