[發(fā)明專(zhuān)利]一種自動(dòng)排污的沉淀池在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811377461.5 | 申請(qǐng)日: | 2018-11-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109499176A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-03-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沈彤 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 自貢漢豐科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | B01D36/04 | 分類(lèi)號(hào): | B01D36/04 |
| 代理公司: | 成都弘毅天承知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51230 | 代理人: | 楊保剛 |
| 地址: | 643030 四川省自貢市沿*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 沉淀池本體 沉淀池 污泥 排污機(jī)構(gòu) 自動(dòng)排污 出水管 縱向部 水處理技術(shù)領(lǐng)域 內(nèi)部連通 橫向部 進(jìn)水管 伸入 下端 水泵 體內(nèi) | ||
1.一種自動(dòng)排污的沉淀池,包括沉淀池本體(19),其特征在于:所述沉淀池本體(19)的上方設(shè)有T形管(12),T形管(12)縱向部的下端伸入到沉淀池本體(19)內(nèi)中部,所述T形管(12)縱向部?jī)蓚?cè)的橫向部分別為出水管(15)和進(jìn)水管(13),所述出水管(15)上連接有水泵(16),所述沉淀池本體(19)的下方設(shè)有與其內(nèi)部連通的排污機(jī)構(gòu),所述沉淀池本體(19)內(nèi)設(shè)有用于控制排污機(jī)構(gòu)的控制機(jī)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自動(dòng)排污的沉淀池,其特征在于:所述T形管(12)縱向部的下端末連接有噴頭(11),所述沉淀池本體(19)的一側(cè)設(shè)有與其內(nèi)部連通的硬質(zhì)透明玻璃管(17),所述硬質(zhì)透明玻璃管(17)傾斜向下設(shè)置,且沉淀池本體(19)外的硬質(zhì)透明玻璃管(17)端末設(shè)有木塞(18)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種自動(dòng)排污的沉淀池,其特征在于:所述出水管(15)靠近T形管(12)縱向部的一側(cè)設(shè)有過(guò)濾板(14)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自動(dòng)排污的沉淀池,其特征在于:所述排污機(jī)構(gòu)包括與沉淀池本體(19)內(nèi)連通的連接管(3),連接管(3)內(nèi)的底部固定設(shè)有第一電磁塊A(23),所述第一電磁塊A(23)的上方設(shè)有順次連接有的第一電磁塊B(22)、連接桿(21)、污泥控制塊(20),所述連接管(3)的一側(cè)設(shè)有帶排污泵(6)的排污管(4),所述排污管(4)的下方設(shè)有與連接管(3)固定連接的固定板(2),固定板(2)上設(shè)有第一電磁塊A(23)的控制開(kāi)關(guān)A(1)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種自動(dòng)排污的沉淀池,其特征在于:控制機(jī)構(gòu)包括滑道(8),所述滑道(8)的上端、下端分別和沉淀池本體(19)內(nèi)的上壁、下壁相接,滑道(8)內(nèi)側(cè)壁上設(shè)有多個(gè)漏水孔(27),滑道(8)內(nèi)的上端設(shè)有與其配合的浮塊(10),所述浮塊(10)的下表面連接有調(diào)節(jié)桿(7),調(diào)節(jié)桿(7)的下端穿過(guò)沉淀池本體(19)的下表面,并朝向控制開(kāi)關(guān)A(1),且可在液面下降時(shí)觸碰控制開(kāi)關(guān)A(1)使第一電磁塊A(23)處于斷電狀態(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種自動(dòng)排污的沉淀池本體(19),其特征在于:所述滑道(8)內(nèi)腔與噴頭(11)相同高度處設(shè)有限位塊(9),調(diào)節(jié)桿(7)的下端末設(shè)有限位板(24)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種自動(dòng)排污的沉淀池,其特征在于:所述限位板(24)的上表面設(shè)有第二電磁塊A(25),限位板(24)相對(duì)面的沉淀池本體(19)下表面上設(shè)有第二電磁塊B(26),沉淀池本體(19)下表面上設(shè)有第二電磁塊A(25)的控制開(kāi)關(guān)B(5)。
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